87MeV/mg/cm2的线性能量转移(LET)的单一事件效应(SEE）

amd epyc™处理器正在为云计算中某类计算密集度最高的工作负荷提供动力，其中领先的中央处理器（cpu）性能、安全性和可升级性至关重要.

我们祝贺marvell推出bravera sc5固态硬盘控制器，很高兴能同marvell继续合作。

生态系统围绕着开放行业标准团结起来时会产生创新和动力，bravera sc5固态硬盘控制器就是一个很好的例子，pcie 5.0及为其设计的高性能产品将有助于释放下一代“蓝宝石激流” sapphire rapids (建议保留intel的英文系列全程)英特尔至强可升级处理器在各种用途中的全部潜力。

制造商: infineon

产品种类: 二极管 - 通用，功率，开关

rohs: 详细信息

产品: power diodes

安装风格: through hole

封装 / 箱体: to-220-3

峰值反向电压: 1200 v

最大浪涌电流: 78 a

if - 正向电流: 18 a

配置: single

恢复时间: 195 ns

vf - 正向电压: 2.15 v

ir - 反向电流 : 100 ua

最小工作温度: - 55 c

最大工作温度: + 150 c

系列: idb18e120

封装: cut tape

封装: reel

高度: 4.4 mm

长度: 10.5 mm

端接类型: smd/smt

类型: switching diode

宽度: 9.9 mm

商标: infineon technologies

pd-功率耗散: 113 w

产品类型: diodes - general purpose, power, switching

工厂包装数量: 1000

子类别: diodes & rectifiers

零件号别名: sp000013919 idb18e120atma1

单位重量: 6 g

这款mosfet器件能够承受恶劣空间环境，增强电源电路的可靠性，并以更高的性能满足mil-prf19500/746的所有要求。

m6 mrh25n12u3 mosfet可用于未来的卫星系统，也可作为现有系统的备用电源。

新器件可以承受高达100 krad和300 krad的总电离剂量（tid）以及高达87 mev/mg/cm2的线性能量转移（let）的单一事件效应（see）。在验证测试中，器件的晶圆批次耐辐射合格率达到100%。

microchip进入耐辐射mosfet市场，体现了我们致力于为客户提供支持，为航空航天和国防oem厂商和集成商提供高性能解决方案和持续供应的长期承诺。

(素材

中央处理器负荷安全性事件性能

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