32KB数据高速和指令高速缓存及写入缓冲器

at91sam9g20的cpu可工作到400mhz,有32kb数据高速缓存和指令高速缓存以及写入缓冲器.

at91sam9g20具有低功耗和容易使用的特点,广泛应用于系统控制,有线和无线连接,用户接口管理,以及诸如pos终端,安全系统,建筑物自动化,工业控制,医疗和白色家电,pc和手机附件等.

功率管理专用集成电路(pm-asic)系列，给多功能手机，pda和手提电子设备的电源设计提供了灵活性。

采用它的模拟功率管理和有专长的微型封装，安森美(on semi)公司开发两种带电池充电器的集成管理ic，ncp4111用于手机，ncp4110用于pda和手持设备。

制造商: infineon

产品种类: mosfet

rohs: 详细信息

技术: si

安装风格: smd/smt

封装 / 箱体: tsdson-8

晶体管极性: n-channel

通道数量: 1 channel

vds-漏源极击穿电压: 25 v

id-连续漏极电流: 40 a

rds on-漏源导通电阻: 3.2 mohms

vgs - 栅极-源极电压: - 20 v, + 20 v

vgs th-栅源极阈值电压: 2 v

qg-栅极电荷: 13.6 nc

最小工作温度: - 55 c

最大工作温度: + 150 c

pd-功率耗散: 30 w

通道模式: enhancement

商标名: optimos

封装: cut tape

封装: reel

配置: single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: optimos 5

晶体管类型: 1 n-channel

宽度: 3.3 mm

商标: infineon technologies

正向跨导 - 最小值: 46 s

下降时间: 2 ns

产品类型: mosfet

上升时间: 3 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: mosfets

典型关闭延迟时间: 15 ns

典型接通延迟时间: 3 ns

零件号别名: bsz031ne2ls5 sp001385378

单位重量: 34.430 mg

se2522l线性输出功率高达20dbm，相邻通道功率比(acpr)，每100khz小于-20dbm.

这种效能是通过sige技术和线性模拟电压0.1-1.6v共同控制。se2522l保证在指标范围内稳定性能和信号高完整性，即使在拥挤的没有许可证的2.4ghz频段也是如此。

和其它器件不同，se2522l满足这种性能而功耗能降低，消耗电流典型值为110ma,是同类竞争产品的一半。该器件工作在3.3v单电源。

se2552l封装是8引脚lpcc，倒装芯片式封装也有提供。

(素材

指令高速缓存缓冲器数据系统控制低功耗

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