超低导通电阻，低电压， 单电源双速模拟开关 芯片级封装 Intersil ISL84684II设备是

Intersil ISL84684II设备的导通电阻低双向双单刀双掷电压模拟开关设计用于从单个+1.8V到+4.5V电源。目标应用包括电池供电从低RON（0.21Ω）和快速开关速度（tON=43ns，tOFF=27ns）。数字逻辑当使用单个+1.8V至4.5V电源。例如，手机通常面临ASIC功能限制。模拟输入或GPIO引脚的数量可以是有限的数字几何结构不太适合模拟开关性能。此部分可用于“mux-in”附加功能，同时降低ASIC设计风险。这个ISL84684II采用2.00 mm x 1.50 mm的芯片尺寸封装，减轻板空间限制。4x3阵列焊球间距为0.5mm。ISL84684II是一个承诺的双单刀双掷（SPDT）由两个常开（NO）和两个常闭（NC）开关。此配置可以是用作双2对1多路复用器。ISL84684II是针与MAX4684和MAX4685兼容

特征

提供无铅加退火（符合RoHS）

MAX4684和最大4685

导通电阻（RON）-V+=+2.7伏。0.21欧-V+=+4.3V。0.14欧

通道之间的RON匹配，最大值。0.05欧

信号范围内的RON平坦度，最大值。0.03欧

单电源操作。+1.8伏至+4.5伏

低功耗PD。<0.32微瓦

快速切换动作（V+=+2.7V）-吨。43纳秒-飞行时间。27纳秒

保证先断后合

1.8V逻辑兼容

当VinH不在V+轨道时，低I+电流

提供10球4x3阵列芯片级封装（2毫米x1.5毫米）

应用

电池供电、手持和便携式设备-蜂窝/移动电话-传呼机-笔记本电脑

便携式测试和测量

医疗设备

音频和视频切换

注：Intersil无铅+退火产品采用特殊无铅材料组；模塑料/模具连接材料和100%哑光镀锡板终饰，符合RoHS标准与SnPb和无铅焊接操作兼容。英特矽尔无铅产品在无铅峰值回流焊时被归类为MSL达到或超过无铅要求的温度IPC/JEDEC J标准-020。

绝对最大额定值热信息

V+接地。-0.3至+5V

输入电压

否，NC，英寸（注2）。-0.3至（（V+）+0.3V）

输出电压

COM（注2）。-0.3至（（V+）+0.3V）

持续电流NO、NC或COM。±300毫安

峰值电流NO、NC或COM

（脉冲1毫秒，10%占空比，最大值）。±500毫安

ESD HBM额定值（根据Mil-Std-883，方法3015）。？千伏

热阻（典型，注3）θJA（摄氏度/瓦）

10球屑秤包装。91个

最高储存温度范围。-65°C至150°C

焊接条件（注4）。根据J-STD-020

操作条件

温度范围

ISL84684II。-40°C至85°C

注意：超过“绝对最大额定值”中列出的应力可能会对设备造成永久性损坏。这是一个压力等级和操作

在本规范操作章节中所述的上述条件或任何其他条件下的装置并不隐含。

笔记：

2.NC、NO、IN或COM上超过V+或GND的信号由内部二极管钳位。限制正向二极管电流至最大额定电流。

3.θJA是用安装在自由空气中的高效热导率测试板上的元件测量的。

4.允许的士兵剖面仅限于行业标准规范JEDEC J-STD-020中推荐的那些。预热是必修的。不允许手焊或波峰焊。

电气规范-3V电源测试条件：V+=+2.7V至+3.3V，GND=0V，VINH=1.4V，VINL=0.5V（注5、7）除非另有规定

电气规范-3V电源测试条件：V+=+2.7V至+3.3V，GND=0V，VINH=1.4V，VINL=0.5V（注5、7）除非另有规定（续）

笔记：

5.VIN=执行正确功能的输入电压。

6.本数据表中使用了代数约定，其中最负值是最小值，最正值是最大值。

7.零件在+25°C下进行100%试验。整个温度范围内的极限值由设计和相关性保证。

8.平坦度是指在规定的模拟信号范围内，导通电阻的最大值和最小值之间的差值。

9.有保证但未经测试。

10.通道之间的RON匹配是通过从具有最低最大RON值的通道中减去具有最高最大RON值的通道来计算的

电气规范-4.3V电源测试条件：V+=+3.9V至+4.5V，GND=0V，VINH=1.4V，VINL=0.5V（注5、7），除非另有规定（续）

详细说明

ISL84684II是双向、双单极/双提供精确开关的模拟开关单路1.8V至4.5V电源，低导通电阻（0.21Ω）和高速运行（tON=43ns，tOFF=27纳秒）。这个装置特别适合便携式电池供电设备，由于其低运行电源电压（1.8V），低功耗（最大0.32微瓦），低泄漏电流（最大150nA），以及微型芯片包裹。超低电阻和罗恩平坦度为应用提供非常低的插入损耗和失真需要信号复制的。供电顺序及过电压保护对于任何CMOS器件，正确的电源顺序是保护装置免受过大输入电流的影响可能会永久性损坏集成电路。所有I/O引脚都包含从管脚到V+和接地的ESD保护二极管（见图8）。为了防止这些二极管正向偏压，V+必须在任何输入信号之前应用，并且输入信号电压必须保持在V+和GND之间。如果无法保证这些条件，则应采取预防措施必须实施以禁止逻辑管脚和信号管脚不超过最大值开关额定值。可以使用以下两种方法提供附加保护以限制信号管脚或逻辑管脚的电压低于接地或在V+轨道上方。逻辑输入可以通过在与逻辑输入串联（见图8）。电阻限值输入电流低于产生永久性损伤和亚微安培输入电流在正常情况下产生不明显的电压降操作。

此方法不适用于信号路径输入。在开关输入端增加一个串联电阻会使使用低RON开关的目的。连接肖特基如图8所示，连接到信号管脚的二极管将分流到电源或接地的故障电流，从而保护切换。这些肖特基二极管的尺寸必须能处理预期故障电流。

电源注意事项

ISL84684II结构是大多数单一供应的典型CMOS模拟开关，有两个电源引脚；V+和GND。V+和GND驱动内部CMOS切换并设置其模拟电压限制。不同于交换机最大电源电压为4V时，ISL84684II 5V最大供电电压为4.3V电源的10%公差，以及过冲和噪声峰值。

建议的最低电源电压为1.8V，但部件将在低于1.5V的电源下工作。重要的是注意，在较低的电源电压下，输入信号范围、开关时间和导通电阻会降低。请参阅电气规范表和典型性能细节曲线。V+和GND也为内部逻辑和电平移位器供电。电平移位器将输入逻辑电平转换为开关电平驱动模拟开关门的V+和GND信号终端。这一系列的开关不能用双极开关来操作电源，因为输入开关点变成此配置为负。逻辑级阈值此开关系列与1.8V CMOS兼容（0.5V和1.4V）在1.8V到4.5V的电源范围内（见图16）。4.5伏VIH电平约为1.3V，仍低于1.8V CMOS保证高输出最低电平1.4V，但有噪音保证金减少。数字输入级在数字输入电压不在其中一个供电轨上。驱动从GND到V+快速转换的数字输入信号时间使功耗最小化。ISL84684II已经设计用于在任何时候输入电压未驱动至供电轨（0V至V+）。为了使用2.85V逻辑（0V到2.85V）驱动设备的示例当使用4.2V电源操作时，设备仅牵引1.6微安电流。

高频性能

在50Ω系统中，信号响应相当平坦超过10MHz，a-3dB带宽为80MHz（见图17）。频率响应在宽V+范围，适用于各种模拟信号电平。关断开关的作用就像一个电容器，通过更高的衰减较小的频率，产生信号从开关的输入到输出的馈通。关闭隔离是当串扰显示从一个开关到另一个开关的馈通量。图18详细说明了高隔离度和串扰本部分提供的拒绝。在100kHz时，断开隔离为在50Ω系统中约56dB，降低约20dB随着频率的增加。高负荷阻抗降低隔离和串扰抑制由于开关的分压器动作阻抗和负载阻抗。泄漏注意事项反向ESD保护二极管内部连接在每个模拟信号引脚和V+和GND之间。什么之中的一个如果任何模拟信号超过V+或地面。几乎所有的模拟泄漏电流都来自ESD二极管至V+或接地。尽管在一个给定的信号管脚是相同的，因此相当平衡，他们有不同的反向偏见。每个人都有偏见V+或GND和模拟信号。这意味着他们的泄漏会随着信号的变化而变化。两个二极管的区别V+和GND引脚的泄漏构成模拟信号路径泄漏电流。所有模拟泄漏电流在每个引脚和一个电源端子之间，而不是其他开关端子。这就是为什么一个给定的开关可以显示相同或相反的泄漏电流极性。模拟信号之间没有连接路径和V+或GND。

典型性能曲线TA=25°C，除非另有规定

典型性能曲线TA=25°C，除非另有规定（续）

模拟封装引脚测试信号规范

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