VNB14NV04，OMNIFET II全自动保护功率

线性电流限制
热关机
短路保护
集成夹具
从输入引脚引出的低电流
通过输入引脚的诊断反馈
ESD保护
直接进入功率mosfet的栅极（模拟驱动）
与标准功率mosfet兼容
描述
vnb14nv04、vnd14nv04、vnd14nv04-1和vns14nv04是使用stmicroelectronics vipower™m0技术制成的单片器件，用于在直流至50 kHz应用中替换标准功率mosfet。内置热关机，线性电流限制和过压钳位保护芯片在恶劣的环境。
通过监测输入引脚的电压可以检测到故障反馈。

方块图

电气规范
电流和电压惯例

保护特性
在正常工作期间，输入引脚通过低阻抗路径与内部功率mosfet的栅极电连接。
然后，该器件的性能就像一个标准的功率mosfet，可以用作从dc到50khz的开关。从用户的角度来看，唯一的区别是一个小的直流电流IISS（典型100微安）流入输入引脚，以便为内部电路供电。
该装置集成：过电压钳位保护：内部设置为45 V，加上功率mosfet级的坚固雪崩特性，使该装置具有无与伦比的坚固性和能量处理能力。这一特性在驱动电感负载时非常重要。线性电流限制器电路：无论输入引脚电压如何，都将漏极电流ID限制为ILIM。当电流限制器激活时，设备在线性区域工作，因此功耗可能超过散热器的容量。结温和壳温都会升高，如果该相持续足够长的时间，结温可能会达到过温阈值TJSH。过温和短路保护：它们基于感测芯片温度，不依赖于输入电压。芯片上传感元件在功率级区域的位置确保快速、准确地检测结温。过温断流发生在150至190°C的范围内，典型值为170°C。当芯片温度降至停机温度以下约15°C时，设备自动重启。状态反馈：在超温故障情况下（TJ>TJSH），设备试图通过输入引脚吸收诊断电流IGF，以指示故障情况。如果由低阻抗源驱动，该电流可用于警告控制电路设备关闭。如果驱动阻抗足够高，以致输入引脚驱动器无法提供电流IGF，则输入引脚将降至0 V。但这不会影响设备操作：除了能够提供正常的操作驱动电流IISS。
根据人体模型和TTL逻辑电路驱动的能力，该装置还具有ESD保护功能。

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