单片2A降压稳压器EL7532

EL7532是带有内部补偿的同步集成FET2A降压稳压器。它工作的输入电压范围为2.5V~5.5V，适用于3.3V，5V的电源，或锂离子电池。输出可通过电阻分压器从外部设置，范围为0.8V~VIN。

EL7532的主要特点是PWM模式控制。它的工作频率的典型值是1.5MHz。其他特点还包括100ms的上电复位输出，小于1μA的关机电流，短路保护和过热保护。

启动和关机

当EN引脚连接到VIN和VIN到达约2.4V的稳压器开始切换。该输出电压逐渐增加，以确保适当的软开始操作。当EN引脚被连接到一个逻辑低电平时，EL7532是在停机方式下。所有的控制电路和两个MOSFET都被切断，而VOUT下降到零。在这种模式下，总输入电流小于1μA。当EN达到逻辑高电平，调节重复启动步骤，包括软启动功能。

典型应用

PWM工作模式

在PWM模式中，P沟道MOSFET和N沟道MOSFET通常进行互补。当用PMOSFET是上和NMOS场效应管时，电感器电流线性增加。输入能量被转移到输出并也被存储在电感器。当P沟道MOSFET导通和关闭，电感器的N沟道MOSFET电流线性减小，并且能量从转移电感器的输出。因此，平均电流通过电感器为输出电流。由于电感和输出电容充当低通滤波器，占空比周期比大约等于VO用V划分IN.输出LC滤波器具有二阶效应。为了保持转换器的稳定性，整体控制器必须补偿。这与在内部做固定补偿的误差放大器和PWM补偿器。因为补偿是固定的，输入的值和输出电容为10μF 22μF的陶瓷。该电感器的标称值是1.8μH，1.5μH虽为2.2μH可使用。

100％占空比操作EL7532采用CMOS功率场效应晶体管作为内部同步电源开关。上部开关是PMOS和更低的开关是NMOS 。这不仅节省了开机电容，而且可以100％打开上位PFET的开关，实现了VO接近VIN。可达到的最大VO是，VO=VIN–(RL+RDSON1)×IO 其中RL是电感和R的直流电阻DSON1PFET导通电阻，标称70mΩ在室温下与温度系数0.2mΩ/℃的含量。随着输入电压逐渐降至接近或甚至低于预置VO时，转换器进入100％的占空比。在这条件下，上位PFET需要一定的最小关断时间，如果它被关闭。这个关断时间是与输入/输出条件。这使得占空比随机出现和增加输出纹波有些直至100％的占空比被达到。较大的输出电容可以减少随机找纹波。用户需要验证，如果这个条件具有整体的电路，如果接近100％上产生不良影响占空比被预期。

RSI/POR功能当通电时，集电极开路上电复位大约100ms的V后输出保持低电平O到达预设电压。当活动喜复位信号RSI为发行，POR立即变为低电平，并保存了RSI的时间后，同一时期又回到低电平。该输出电压不受影响。当该功能没有被使用，将RSI地面和留有余地的上拉电阻?4在POR引脚。上电复位输出也作为一个100ms的延迟电源良好的信号时，上拉电阻?4已安装。该RSI管脚要直接（或间接通过一个电阻R6），连接到接地此才能正常工作。

时序图

电流限制和短路保护

电流极限设定为大约3A对于PMOS。当一个短路发生在负载时，预设的电流限制限制了当前可用的量来输出，该输出使输出电压下降到低于预定电压。在此期间，过量的电流加热的调节器，直到达到热关断点。

热关断

一旦结点温度达到145℃时，稳压器关下来。两个P沟道和N沟道MOSFET开启关。输出电压将下降到零。与输出MOSFET的关断时，稳压器将很快降温。一旦结点温度下降到约130℃，则调节器将再次重新启动中的相同方法EN引脚连接到逻辑高电平。

热性能

EL7532是在熔融铅MSOP10包。相比到正规MSOP10包，该稠合引线封装提供更低的热阻。典型的θJAof115℃/W可通过最大化周围的覆铜面积改善销。一θJA以100℃/W能够在一个四层电路板来实现和125℃/上2层基板W。

引脚

降压2A线性复位补偿输出

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