双笔记本电源N通道PowerTrench Syncfe

一般说明

FDS6982S设计用于替代两个单SO-8同步dc:dc中的mosfet和肖特基二极管提供各种外围电压的电源用于笔记本电脑和其他电池供电的电子设备。FDS6982S包含两个唯一的30V，N通道，逻辑电平，功率管mosfet旨在最大限度地提高功率转换效率。高压侧开关（Q1）的设计

强调降低开关损耗，同时优化低压侧开关（q2）以降低传导损失。q2还包括集成肖特基二极管使用Fairchild的单片同步场效应晶体管技术。

特征

2：优化以最小化传导损耗包括Syncfet肖特基体二极管8.6A，30V rds（开）=0.016Ω@VGS=10Vrds（开）=0.022Ω@VGS=4.5VQ1：针对低开关损耗进行优化低栅极电荷（典型值为8.5 NC）6.3A，30V rds（开）=0.028Ω@VGS=10Vrds（开）=0.035Ω@VGS=4.5V

肖特基体二极管

特点

Fairchild的Syncfet工艺将肖特基二极管嵌入与功率管沟mosfet并联。这个二极管显示与离散外肖特基相似的特性与mosfet并联的二极管。图显示了FDS6982S的反向恢复特性。FDS6982S同步场效应管体二极管反向恢复特性。

为了便于比较，图显示了相反的半导体激光器体二极管的恢复特性无syncfet的等效尺寸mosfet（FDS6982）。

肖特基势垒二极管在高温度和高反向电压。这会增加设备中的电源。非同步场效应管（FDS6982）主体特性反向恢复二极管。

同步体二极管漏水与排水源电压

温度非同步场效应管（FDS6982）主体特性反向恢复二极管。

免责声明

飞兆半导体保留更改的权利为提高可靠性、功能或设计，请注意此处的任何产品。费尔柴尔德不承担因应用或使用任何产品而产生的任何责任或本文所述的电路；也不转让其专利下的任何许可权利，也不是其他人的权利。Fairchild的产品未经授权用作生命支持的关键组件未经飞兆半导体公司明确书面批准的装置或系统。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统是指设备或（a）用于外科植入的系统身体，或（b）支持或维持生命，或（c）其未按照规定正确使用标签上有使用说明，可以合理预期会导致用户2.关键的组成部分是生命的任何组成部分无法执行can的支持设备或系统被合理地认为会导致生命的失败支撑装置或系统，或影响其安全或有效性。

笔记：

1。rθja是连接到外壳和外壳到环境的热阻之和，其中外壳热参考被定义为排水销。rθjc由设计保证，rθca由用户板设计确定。

2.脉冲测试：脉冲宽度<300微秒，占空比<2.0%

3.“Syncfet肖特基体二极管特性”。

通道产品优化外壳系统同步

免责声明：本网信息来自于互联网，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益，请及时联系我们，本站将会在24小时内处理完毕。