FOD3180型 2A输出电流，高速MOSFET栅极驱动器 光耦

特征

保证工作温度范围-40°C至+100摄氏度2A最小峰值输出电流高速响应：最大传播延迟200ns超温范围最大开关速度250kHz30ns典型脉冲宽度失真宽VCC工作范围：10V至20V5000Vrms，1分钟隔离低压锁定保护（UVLO）滞后

最小爬电距离7.0 mm

最小间隙距离7.0 mm

C-UL、UL和VDE*批准

1.5Ω（典型值）的RDS（开）提供更低的功耗最小共模抑制15kV/μs

应用

等离子显示屏

高性能DC/DC转换器

高性能开关电源

高性能不间断电源

隔离功率MOSFET栅极驱动

需要“V”排序选项

说明

FOD3180是一个2A输出电流，高速MOSFET栅极驱动光耦。它包括砷化镓铝（AlGaAs）发光二极管与带有PMOS和NMOS输出功率晶体管集成电路电源。它非常适合于等离子体显示板用功率mosfet（PDPs），电机控制逆变器应用和高性能DC/DC转换器。该设备封装在8针双列直插式外壳中与无铅260°C回流焊工艺兼容焊料符合性。

绝对最大额定值（TA＝25°C，除非另有说明）

超过绝对最大额定值的应力可能损坏设备。设备可能不工作或不建议在建议的操作条件下操作，并将部件应力提高到这些水平。此外，长时间暴露在高于推荐操作条件的应力下可能会影响设备的可靠性。绝对最大额定值仅为额定应力。

推荐操作条件

推荐操作条件表定义了实际设备操作的条件。推荐规定了操作条件，以确保达到数据表规范的最佳性能。费尔柴尔德没有推荐超过或设计到绝对最大额定值。

电光特性（DC）除非另有规定，否则超过推荐的操作条件。

TA=25°C时的典型值

开关特性

超过推荐的操作条件，除非另有规定

TA=25°C时的典型值

笔记：

1.以0.3毫安/摄氏度的速率线性降低+70摄氏度以上的自由空气温度。

2.输出电流IOH和IOL规定为电容电流限制负载=（3 x 0.01μF）+0.5Ω，频率=8kHz，50%测向。

3.输出电流IOH和IOL规定为电容电流限制负载=（3 x 0.01μF）+8.5Ω，频率=8kHz，50%测向。

4.在+87°C以上线性减额，自由空气温度为0.77mW/°C。参考图12。

5.在整个工作温度范围内无需降额。

6.在这个测试中，VOH是在100毫安的直流负载电流下测量的。当驱动电容性负载时，VOH将接近VCC当IOH接近零安培时。

7.最大脉冲宽度＝1ms，最大占空比＝20%。

8.tPHL传输延迟从输入脉冲下降沿上的50%电平测量到VO信号下降沿。tPLH传播延迟是从输入上升沿的50%水平测量的脉冲至VO信号上升沿的50%。

9.对于任何给定设备，PWD定义为| tPHL–tPLH |。

10.在相同试验条件下，任何两个FOD3180零件之间的tPHL和tPLH之间的差异。

11.插脚1和4需要连接到LED公共线。

12.共模的高阶瞬态抗扰度是共模脉冲的最大容许值。VCM以确保输出将保持在高状态（即VO>10.0V）。

13.共模低周免疫力是共模脉冲的最大容许值，VCM，以确保输出将保持在低状态（即VO<1.0V）。

14.根据UL 1577，每个光耦通过施加大于6000Vrms的绝缘测试电压进行验证测试，60Hz持续1秒（泄漏检测电流限制II-O<5微安）。15.被认为是双端装置的装置：输入端的引脚短接在一起，输出端的引脚短接一起。

峰值回流温度：260C（封装表面温度）

温度高于183摄氏度的时间不超过160秒

建议一次回流焊

输出功率降额

最大封装功耗为95MW。这个包装仅限于此级别，以确保在正常情况下工作条件和超温半导体结温度的范围不超过125°C。包装功率由三个元件；LED，静态工作电源输出IC，输出功率中耗散的功率MOSFET晶体管。输出IC的额定功率为250兆瓦。这种力量分为集成电路，它是IDD乘以电源电压（VDD–VEE）。最大集成电路静态输出功率150mW，（VDD–VEE）=25V，IDD=6毫安。此最大条件在工作温度范围为-40°C至+100°C下有效。最大工作条件，输出功率MOSFET可以耗散100mW的功率。绝对最大输出功率耗散环境温度如图所示。输出驱动器能提供100mW的输出功率在温度范围从-40°C到87°C时，在绝对最大运行时输出降到90MW。温度100°C。

输出功率是平均输出功率的乘积电流平方乘以输出晶体管的RDS（开）：PO（平均值）=IO（平均值）2•RDS（开）IO（平均值）是占空比乘以输出中的峰值电流。占空比为输出负载电流“开启”时间除以按工作频率的周期。的RDS（ON）2.0Ω导致平均输出负载电流为200毫安。负载占空比是平均输出时间的比率功率MOSFET的负载电路和驱动频率周期。最大允许工作频率是由其输出端的负载决定的。输出脉冲宽度。图显示了0.03μF栅源电容，串联电阻为8.50Ω。这种无功负载导致平均脉冲宽度为1.5微秒。在此负载条件下没有必要减去绝对最大输出量。工作频率超过63kHz前的电流。

IOH和IOL测试条件

该装置在驱动复杂无功负载时进行测试和规定。负载包括与限流电阻器串联。电容器表示电源的门到源电容MOSFET晶体管。测试负载为0.03μF电容器与8.5Ω电阻器串联。LED测试频率为10.0kHz，占空比为50%。两者的结合测试时IOL输出负载电流占空比为0.6%频率。图显示了LED输入的关系驱动电流和装置的输出电压，源极电流和陷极电流。0.03μF电容器负载表示非常大的功率MOSFET晶体管。单电源电压评价采用20V。图显示了用于评估装置。IOH和IOL在它们各自的电流脉冲。

驱动器2A频率推荐负载输出

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