我国顺利突破EUV光刻机技术 哈工大突破光刻机核心部件

哈工大取得光刻机技术突破！EUV光刻机、7nm手机芯片要来了？该消息一出，很多自媒体都沸腾了：我国已经顺利突破EUV光刻机技术，欧美的技术优势不再！

　　可是真实情况到底是什么样？本文来做个简要分析。

　　一、哈工大突破光刻机核心部件

　　近日，哈工大官宣研制出HUE-D/S/X系列“高速超精密激光干涉仪”，在网上备受关注。因为，该研发项目可解决高端装备发展和量子化计量基准等前沿研究的“卡脖子”问题，更重要的是，该仪器是光刻机的核心部件。众所周知，光刻机主要包括：光源系统、浸液系统、光学系统、工件台掩模台系统。其中工件台掩模台为光刻机中的超精密定位平台，对光刻机的产片率很大影响。高速超精密激光干涉仪可以对光刻机中双工件台的多维运动，进行线位移、角位移同步测量与解耦，以满足掩膜工件台、硅片工件台和投影物镜之间，日益复杂的相对位移、姿态测量需求，进而保证光刻机整体套刻的精度。因此，在光刻机等高端设备中，超精密高速激光干涉仪是核心单元之一，它是实现极限工作精度和工作效率的必要条件。

　　

　　二、该仪器受关注

　　另外一个原因，是因为它的技术整体水平高。据悉，哈工大研制出的HUE-D/S/X系列“高速超精密激光干涉仪”不仅实现亚纳米，甚至深亚纳米级的高分辨力高精度位移测量。经过3位院士及专家鉴定，HUE-D/S/X系列仪器整体水平达到了国际先进水平，其中3项关键技术处于国际领先。哈工大团队突破系列核心测量方法和工程化关键技术，解决了该领域存在的测不准、测不精、测不快的核心难题，该技术已经满足国内光刻机的各项需求。值得注意的是，该设备并不是停留在线上研究。据了解，“高速超精密激光干涉仪”已实现了小批量生产，且应用在我国的350nm到28nm多个工艺节点的光刻机样机集成研制和性能测试领域。

　　

　　三、它能否用于EUV设备？

　　从以上的介绍可以得知，该核心部件是可以用于DUV光刻设备的，已应用到28nm以上工艺节点上。不过，EUV设备的技术要求更高，就目前来说，哈工大研制出的HUE-D/S/X系列仪器暂时还不可应用到极紫外光刻设备上。一方面，EUV设备的移动工件台运动范围、精度和速度，都比DUV更进一步提升了。EUV要求在大量程6自由度复杂耦合高速运动条件下，实现0.1nm及以下的位移测量精度。另一方面，EUV光刻设备是真空工作环境，这样来减少空气流动波和空气折射率引入的测量差。同时，EUV也大大提升了整体测量系统结构，针对空气真空适应性设计的复杂性。

　　四、少一些自媒体的自嗨，吾辈尚需努力

　　不过值得注意的是，超精密激光干涉仪也是EUV光刻机的核心技术之一，这项技术的突破，可为极紫外光刻机研发提供重要的技术储备。而且，哈工大研发团队还在继续努力，将研发极紫外光刻机的超精密高速激光干涉仪，适用于EUV光刻设备。

　　编辑：黄飞

突破核心系统光刻

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