俄罗斯政府预计2030年开发出28纳米制程技术

据外媒Tomshardware报导，一家俄罗斯研究单位正在研究开发自己的半导体微影光刻设备，预计该设备可以被用于7纳米制程芯片的生产上。整个计划预计在2028年完成，而且一旦完成之后，其设备可能会比ASML的Twinscan NXT:2000i效能更高。值得一提的是，ASML开发Twinscan NXT:2000i的时间超过了10年。

报导表示，俄罗斯政府推出了一项国家计划，到2030年开发出自己的28纳米制程技术，并尽可能利用外国芯片进行逆向工程取得技术，同时也要培养本土人才从事国产芯片的生产工作。

根据俄罗斯所发表的计划，俄罗斯科学院下属的俄罗斯应用物理研究所（Russian Institute of Applied Physics，IAP）预期，到2028年研发且量产出具有7纳米制造能力的微影光刻设备。

报导指出，俄罗斯即将开发量产的设备，将与ASML或NIKON等公司生产的微影光光设备有所不同。例如，IAP计划使用大于600W的光源，曝光波长为11.3nm（EUV波长为13.5纳米），这将需要比现在更复杂的光学元件。由于该设备的光源功率相对较低，这将使该工具体积更紧凑，因此更容易制造。然而，这也意味着其微影光刻设备的芯片产量将大大低于现代深紫外（DUV）微影光刻设备。但IAP表示，这将不会是问题。

就现阶段来说，32纳米以下的制程技术，制造商目前主流采用的是所谓的沉浸式微影光刻设备。ASML于2003年底推出了其第一款沉浸式微影光刻设备-Twinscan XT:1250i，并在2004年第三季交货一台设备，用以生产65纳米逻辑芯片和70纳米等级的DRAM。之后，该公司花了大约5年时间，于2008年底宣布推出之支援32纳米的Twinscan NXT:1950i，沉浸式微影光刻设备，并于2009年开始向客户交货。

以上说明，代表当前的技术领先者ASML大约花了9年的时间，才在2018年交货其支援7纳米和5纳米制程的Twinscan NXT:2000i DUV微影光刻设备。再从ASML的产品发展历程来看，从65纳米制程发展到7纳米制程，总计用了14年的时间。

现在，在芯片生产方面没有任何经验或与芯片制造商没有任何联系的俄罗斯IAP，打算在大约6年的时间里从头开始制造一套支援7纳米制程的微影光刻设备，并进一步进行量产，虽然这个计划听起来实在不太可行，但看起来IAP却是充满了热情。

根据发展时程，IAP计划在2024年之前建造一个功能齐全的首代微影光刻设备。这个微影光刻设备不必提供高生产率，或最大解析度，但必须能运作，使其对潜在投资者有吸引力。之后，IAP打算在2026年之前制造出具有更高生产力和解析度的微影光刻设备的测试版。这时这套机器应该要可以量产晶圆，但预计其生产力不会达到最大。至于，俄罗斯规划的微影光刻设备终极版本将在2028年问世，其不但要能获得高性能光源，并且具有更好的计算量测和整体能力。不过，目前尚没有公布IAP与其生产合作伙伴将要生产多少套此类设备。

政府俄罗斯本土逆向工程

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