芯片制程到3nm后如何突破良率难题？

（文/程文智）三星电子今年7月25日在韩国京畿道华城园区V1生产线（EUV专用）为采用了新一代全环绕栅极（Gate All Around，简称GAA）晶体管制程节点的3nm芯片晶圆代工产品举行了出厂仪式。才过4个月不到，韩国媒体Naver就爆出，三星3nm制程的良率非常低，不足20%。而且其5nm和4nm节点的良率问题也迟迟没有得到改善。

其实，三星电子从2000年初就已经开始了对GAA晶体管结构的研究。自2017年开始，将其正式应用到3纳米工艺，并于今年6月宣布启动利用GAA技术的3纳米工艺的量产。是全球首家将GAA晶体管结构用于晶圆制造的代工企业。据悉，我国的一家矿机芯片企业PanSemi（磐矽半导体）是三星电子的第一家客户，目前也可能是其唯一的客户。

据报道，三星电子为了解决良率问题，找到了美国的Silicon Frontline Technology，向这家企业寻求帮助。据说目前进展情况还不错。

那么，三星电子在GAA上花的时间超过了20年，为何良率问题迟迟没有得到解决呢？问题究竟出在了哪里？我们先从芯片的最基础单元------晶体管结构的发展说起，然后看看有什么应对之策。

晶体管结构的发展历史

半导体芯片其实是众多晶体管（Transistor）的集合，而晶体管其实就是一个小的开关。一个晶体管就代表了一个0或者1，也就是所谓的一个位元。在20nm以上的制程中，使用的晶体管被称为金属氧化物半导体场效应管（MOSFET：Metal Oxide Semiconductor FET）；20nm~3nm，采用的是鳍式场效应晶体管（Fin FET： Fin Field Effected Transistor）；3nm以下，采用的则是全环绕栅极场效应晶体管（GAAFET：Gate All Around Field Effect Transistor）。

图：晶体管的结构发展（来源：三星）
为何会如此演进呢？主要是因为晶体管的工作原理，在晶体管内部，科学家定义了一个栅极长度（Gate Length）的概念，这是电子流通的方向，而其短边就是所谓的制程。

原理是在金属栅极上加一个电压来控制电子的导通和关闭。电子能够导通过去就代表1，如果关断则代表0。这个开关就是靠栅极施加电压来造成电场来控制的，可电场的主要影响在接触面上，如果栅极的长度越做越小，粉色的接触面积就会越来越小，当小到一个程度，要关住电子的时候，就会关不住。锁不住的电子就会偷偷溜过去。因此，先进制程中漏电流就会变大。

图：FinFET晶体管工作原理（来源：三星）
解决这个问题的办法就是增大栅极与电子通道的接触面积，接触面积越大，控制效果越好。所以到20nm以下就改用鳍式场效应晶体管，加电压的时候就变成粉色这部分面积就增加了，所以效果会比较好。电场的作用比较强，可以锁住电子不会漏电。

到了3nm以下，实在太小了，接触面积又不够了，怎么办呢？只好上下左右，统统把它包起来，用栅极把电子通道包起来，成为了GAAFET，这样的控制效果会比较好。

就目前来说，每一家晶圆代工厂大概都是用这样的方式去制作。

良率问题低迷该怎么办？

三星电子这次先于台积电推出3nm制程，但情况并没有好转，良率不足20%，这成本就有点高了。加上此前就由于在4nm和5nm制程良率无法得到改善，而让大客户高通和英伟达等大客户转单台积电了。此次要是还不能解决良率问题，可能大客户就此失去了。

为了能够更好地解决良率问题，三星电子此次找上了美国厂商Silicon Frontline Technology，让他们帮忙协助其提高3nm GAA结构的良率。

根据Silicon Frontline Technology官网信息，该公司位于加利福尼亚州圣何塞，主要提供半导体设计和验证解决方案。该公司为布局后验证提供有保证的准确和有保证的快速电阻、电容、ESD 和热分析，其产品已被70多家客户使用，其中包括全球前25家半导体供应商中的12家，得到领先代工厂的认可和使用，并已用于500多种设计中。而且，客户已经使用他们的技术解决了10nm、14nm、28nm、40nm、ADC、Serdes、敏感模拟电路、图像传感器、存储器、定制数字设计和电源设备的问题。

其主要的经验在于为晶圆厂提供静电放电（ESD）预防技术，而静电放电是晶圆生产过程中产生缺陷的主要原因，据悉也是三星3nm GAA技术的良率过低的重要原因之一。Silicon Frontline Technology公司已经藉由水质和静电放电（ESD）预防技术降低生产过程中的缺陷，以提高晶圆的生产良率。

虽然三星号称已经透过整合其合作伙伴使用的技术获得了积极成果，但实际成果还需要在未来几个月内持续观察。

据了解，目前市面上所做的失效分析中，90%以上的失效都是静电放电所造成的。根据电测结果，失效模式包含开路、短路或漏电、参数漂移、功能失效等。根据失效原因，失效模式可以分为电力过应、静电放电导致的失效、制造工艺不良导致的失效等。

静电放电是如何产生的呢？在芯片的制造过程中，半导体设备与芯片上的金属层之间，在制造过程中可能会发生静电放电。静电放电失效可以归结为两种情形，一是静电放电直接作用在了芯片上；二是静电放电干扰了生产的设备正常运行，或者是干扰了外部电路环境。

图：充电诱导损伤
上图就是所谓的充电诱导损伤（CID，Charging Induced Damage），就是当芯片在生产过程中，跟半导体设备接触或者接近，可能产生充电诱导损伤，这个图是晶圆表面被静电打坏的照片，仔细放大看，就会发现，实际上就是里面的某一个晶体管被损伤了，如果用显微镜仔细看，就会发现这颗IC基本上被打坏了。

图：晶圆被静电打坏的剖面图
上图中左图表示的是一个被静电打坏的现象。从侧面看，你会发现，多层金属导线当发生静电打坏的现象，这个地方就会有缺陷，这时候，这颗芯片就坏掉了。通过分析可以发现在晶圆的某些位置，特别容易发生静电放电损坏芯片的现象。比入上图右图所示的红点，就是实验室中，科研人员测得的在某个条件下，某些位置容易打伤芯片。

结语

三星遇到的一直都是良率的问题，所以这次，他们想通过Silicon Frontline Technology提供的静电放电模拟软件协助其找到原因，进而解决良率的问题。如果此次他们能够成功解决良率问题，那么在未来的先进制程竞争中超越台积电。

毕竟台积电目前的3nm制程采用的仍然是FinFET技术，到2025年2nm时，他们才会采用GAAFET技术。而三星此次如果解决了良率问题，那么在2nm竞争时，将会比台积电多出3年的实践经验。因此，两家公司的决战点应该会在2025年之后。

芯片节点个月突破

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