三极管的基本结构、分类及主要参数

三极管，全称半导体三极管，又称双极晶体管，是控制电流的半导体装置。其功能是将弱信号放大到更大的电信号，但也用于无接触开关。晶体三极管BUW48是半导体的基本部件之一，具有电流放大功能，是电子电路的核心部件。三极管是在半导体基板上制造两个非常接近的部件PN结，两个PN整个半导体分为三部分，中间部分为基区，两侧为发射区和集电区，分为三部分。排列方式有 PNP 和 NPN 两种。

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三极管的基本结构

晶体三极管(以下简称三极管)按材料分为锗管和硅管。NPN和PNP硅是两种结构形式，但使用硅NPN和锗PNP(其中，N它的意思是负极(代表英语中的英语)Negative），N在高纯硅中加入磷而不是一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极（Positive）添加硼代替硅，产生大量有利于导电的孔隙)。两者的工作原理是相同的，除了不同的电源极性。

对于NPN管道由发射区和基区之间的两个N型半导体组成PN由集电区和基区形成的结称为发射结PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e（Emitter），基极b(Base)和集电极c(Collector)。

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三极管的基本分类

a.按材料分：硅管、锗管

b.按结构分:NPN，PNP

c.按功能分为：开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.

d.按功率分：小功率管、中功率管、大功率管

e.按工作频率分为：低频管、高频管、超频管

f.按结构工艺分为：合金管、平面管

g.安装方法：插件三极管、贴片三极管

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三极管的主要参数

三极管参数较多，可分为直流参数、交流参数和极限参数。

1．直流参数

(1)集电极-基极反向饱和电流Icbo

集电极-基极反向饱和电流是指集电极之间增加规定的反向电压Ucb反向电流。

(2)集电极-发射极反向电流Iceo

集电极-发射器反向电流，又称穿透电流，是指基极开路时集电极与发射器之间的规定电压Vce电极电流。

(3)发射极-基极反向电流Iebo

基极反向电流是指发射结的反向饱和电流。

(4)直流电流放大系数(或)hFE）

DC电流放大系数是指无交流信号输入的集电极DC电流和基极DC电流之比。

2．交流参数

(1)交流电流放大系数β（或hFE）

交流电流放大系数是指集电极输出电流的变化ΔIC基极输入电流的变化ΔIB之比。

(2)截止频率fβ，fα

晶体管的频率参数描述了晶体管电流放大系数对高频信号的适应性。根据晶体管的频率参数。fβ共射截止频率的定义并不意味着晶体管降了3dB。

(3)特征频率为信号频率?晶体管上升时β就下降，当β当降至1时，相应的信号频率称为共发极特征频率，是表示晶体管高频特性的重要参数。

3．极限参数

(1)集电极最大允许电流ICM

最大允许电流是指电极电流IC增加到一个值，导致增加到一个值β当值降至额定值的2/3或1/2时IC价值。因此，当集电极的电流超过集电极的最大允许电流时，管道不会损坏，但不会损坏β价值大幅下降，影响质量放大。

(2)集电极-基极击穿电压U（BR）CBO

集电极-基极击穿电压是指发射极开路时集电结的反向击穿电压。

(3)发射极-基极反向击穿电压U（BR）EBO

发射极-基极反向击穿电压是指集电极开路时发射结的反向击穿电压。

(4)集电极-发射极击穿电压U（BR）CEO

最大允许电压在集电极和发射器之间增加。UCE＞U（BR）CEO，管子会被击穿。

(5)集电极最大允许耗散功率PCM

当管道加热引起的参数变化不超过允许值时，集电极的最大允许耗散功率是指集电极的最大耗散功率。

结构分类三极管饱和参数插件

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