纳微半导体下一代GaNFast技术，10分钟内实现100%充电

10分钟内实现100%充电，下一代氮化镓技术助力SUPERVOOC树立满级秒充里程碑

唯一全面专注的下一代功率半导体公司 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布其下一代GaNFast技术已获近期发布的realme GT3（国内为realme GT Neo5）随机标配的240W超快充充电器采用。

realme GT3发布于今年世界移动大会（MWC），作为新一代的安卓阵营旗舰手机，其配备了世界上第一款商用240W移动超快充。搭载骁龙 8+ 和超帧独显芯片 Plus 旗舰双芯，该手机正面搭配一块 6.74 英寸支持144Hz刷新率的 AMOLED 柔性直屏，背部创新性地加入了“觉醒光环系统”，25色RGB潮玩交互系统，个性玩法随心掌控。

获TÜV莱茵安全认证，这款realme GT3标配的双口SUPERVOOC的快速充电器基于两颗纳微NV6138氮化镓功率芯片打造而来，分别用于CRM PFC和HFQR反激拓扑中。该充电器尺寸仅57 x 58 x 30 mm (99 cc)，重量为173g，功率密度达到了业界领先的2.42 W/cc。使用该充电器为GT3的4600mAh电池充电30秒，就能通话两小时，仅需4分钟左右就能充至50%，完全充电可在9分30秒内完成。

每颗GaNFast氮化镓功率芯片将一颗高性能的GaN FET与GaN门极驱动集成在一起，实现前所未有的高频及高效运行能力。升级后的GaNSense技术更是带来了实时、准确的电压、电流感测及智能的温度控制。无损的电流检测功能去除了外部的电流检测电阻和热点，极大地提升了系统效率。

“在USB Type C的协议支持范围内，我们凭借世界上最强大的智能手机充电方案，让GT3彻底消除了消费者的续航焦虑，而这一切的关键，是纳微半导体搭载了GaNSense技术的GaNFast氮化镓功率芯片。”

——realme副总裁及全球营销总裁徐起

“纳微半导体为realme GT3的全球发布送上诚挚的庆贺，这无疑是超快充史上的一大里程碑。我们Electrify Our World的使命不仅一次次地帮助客户创下一个又一个的快充记录，同时不断为消费者带来更便捷的使用体验。”

——纳微半导体的全球高级销售副总裁

David Carroll

芯片安全认证用于半导体

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