加贺富仪艾电子加快基于氮化镓USB-C PD电源适配器的研发

近日，加贺富仪艾电子旗下代理品牌Transphorm宣布推出七款参考设计，旨在加快基于氮化镓的USB-C PD电源适配器的研发。该参考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项，覆盖多种拓扑结构、输出和功率（45W至140W）。

SuperGaN技术的差异化优势

电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势，这些特点已经成为Transphorm氮化镓器件的代名词。在最近的对比分析中，与175毫欧的e-mode氮化镓器件相比，Transphorm的240毫欧SuperGaN FET在温度超过75℃时显示出更低的导通电阻上升幅度，并在50%和100%（全）功率下拥有更高的性能。

比较和评估氮化镓功率器件，产品的数据规格书是需要考虑的重要因素。然而，单凭这些产品规格数据本身，并不能确定哪一种GaN器件更适合于一款电力系统设计。针对应用实例进行的测试通常能够更好地揭示关键的器件性能，下面就是一例——这里将 Transphorm 的一款适用于USB-C PD充电器的SuperGaN FET功率管与目前市面上的一款增强型器件做了比较。

电源适配器参考设计

Transphorm的参考设计组合包括五款开放框架的USB-C PD参考设计，频率范围从140kHz到300kHz。其中包括Transphorm与Silanna Semiconductor合作开发的一款65W有源钳位反激模式（ACF）参考设计，运行频率为140kHz，峰值效率为94.5%。

45W适配器参考设计（一款）：采用准谐振反激模式（QRF）拓扑结构，可提供24W/in³的功率密度。

65W适配器参考设计（三款）：采用ACF或QRF拓扑结构，可提供30W/in³的功率密度。

100W适配器参考设计（一款）：采用功率因数校正（PFC）+QRF拓扑结构，可提供18W/in³的功率密度。

Transphorm的参考设计组合还包括两款开放框架的USB-C PD/PPS参考设计，频率范围110kHz到140kHz。Transphorm与Diodes Inc.合作开发了这两款解决方案，利用该公司的ACF控制器实现了超过93.5%的峰值效率。

65W适配器参考设计（一款）：采用ACF拓扑结构，可提供29W/in³的功率密度。

140W适配器参考设计（一款）：采用PFC+ACF拓扑结构，可提供20W/in³的功率密度。

Transphorm独具优势，可提供能适用于广泛应用的、涵盖众多功率水平的氮化镓FET组合。我们的电源适配器参考设计凸显出我们的低功率能力。我们提供与控制器无关的PQFN和TO-220器件，可以极大地简化设计。这些优势以及其他特点有助于客户快速、轻松地将具有突破性功率效率水平的氮化镓解决方案推向市场。这正是Transphorm氮化镓器件的价值所在。——Transphorm现场应用和技术销售副总裁Tushar Dhayagude

审核编辑：彭静

研发参考框架设计选项

免责声明：本网信息来自于互联网，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益，请及时联系我们，本站将会在24小时内处理完毕。