三星电子DDR5 DRAM内存颗粒实现HKMG工艺大规模应用

据相关分析机构日前披露，三星电子向一家中国台湾内存条厂商芝奇（G.Skill）提供了基于高K金属栅极（HKMG）技术的DDR5 DRAM内存颗粒。

▲ 三星电子HKMG DDR5 DRAM内部电路照片

该机构表示，目前已经在芝奇（G.Skill）Trident Z5系列DDR5内存中发现了三星HKMG DDR5内存颗粒。该机构还预计HKMG将成为下一代DRAM行业的新标准。

据悉，三星电子于去年3月首次宣布DDR5 DRAM开发成功，并在业界首次实现HKMG工艺大规模应用。据介绍，DDR5数据处理速度是DDR4的两倍，起步就能到4800MHz，而且容量也会得到提升，但延迟相对会上升。

HKMG技术传统上应用于逻辑半导体器件，与传统材料技术相比，HKMG可明显改善漏电情况，三星曾表示该技术可减少内存功耗约13%，对注重能源效率的数据中心等应用有重要意义。不过三星并未披露内存的实际商业化情况，只是表示，三星计划在下一代中根据客户需求及时将内存商业化。

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