三星高管大换血，只为改善良率，力求尽快完成3nm量产工作

据韩媒报道称，近日三星已经对高管进行了大换血，芯片半导体研发中心的负责人等高管已经得到了更换。

目前新上任的芯片半导体研发中心负责人之前在NAND闪存开发领域创造出了不错的成绩，本次任职受到各方面一致的期待。而芯片代工制造技术中心负责人则由目前三星一流的存储半导体工艺专家来担任，其他重要职位也纷纷交给了经验丰富的专家来担当。

在这次高管换血之前，曾有传言称三星内部严重不和，其严重程度甚至影响到了芯片良率，本来就落后于台积电的三星再受到内部影响，超越台积电自然就更不可能了，目前又是在3nm制程上赶超台积电的大好机会，所以三星才会如此大规模的对高管进行换血，以保证接下来项目的良好进行。

据了解，三星的3nm工艺将采用GAA晶体管工艺，这种工艺相较于之前的工艺在功耗与性能方面都有很大的优化，而台积电并不会在3nm工艺上采用GAA技术，故而三星才要如此急迫的研发推动3nm工艺量产，在3nm时代赶超台积电。

三星方面表示，最快在6月份便能够实现3nm工艺的量产。

综合整理自 未来半导体 快科技 雷科技

审核编辑 黄昊宇

换血芯片专家闪存

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