爆料！三星DDR6预计会在2024年完成设计

当下，DDR5内存还远未到要主流普及的程度。不过，DRAM内存芯片的头部厂商们已经着手DDR6研制了。

日前在韩国水原举办的一场研讨会上，三星测试与系统封装副总裁Younggwan Ko表示，为适配半导体存储产品的性能的增长，封装技术必须不断进步。

会上，他明确，在DDR6内存芯片的开发中，三星将使用MSAP，也就是改良型半加成工艺（Modified semi-additive process）。

资料显示，MSAP起初应用于IC载板高精密线路制作，技法是首先在附有超薄底铜的基板上贴合干膜使用正片进行图形转移，再通过图形电镀加成形成线路，最后去除干膜和底铜完成高精密布线，以实现提升PCB的高频高速性能。

和当前三星使用的隆起法相比，MSAP在空白部分也要镀层。

Ko指出，DDR6的存储容量和处理速度将大幅增加，需要更多的堆叠层数，对封装技术来说既是机遇也是挑战。

另外，Ko也坦言，友商（SK海力士）已经先于自己在DDR5颗粒上使用MSAP技术了。

事实上，虽然出货上仍旧是DRAM龙头老大，但三星在技术开发上的确出现落后，抛开上文的MSAP，1a DRAM芯片量产进度也不及SK海力士和美光。

事实上，这不是三星第一次提到DDR6内存，实际上去年底三星就公布了DDR6内存的路线图，相比DDR5内存来说会进一步提升内存频率、容量。

具体来说，三星之前提到DDR6会比DDR5频率再次翻倍，达到了12.8GHz（或者12.8Gbps），超频频率则可以达到17GHz，是DDR5的2倍、DDR4的4倍。

不过这显然不是极限，实际上现在的DDR5内存频率已经冲到了12.6GHz，DDR6未来的频率上限超过20GHz也不是没可能。

除了频率之外，DDR6的内存容量也有大涨，每个内存条内的通道数翻倍到4通道，bank容量从16提升到64，这些都会数倍提升DDR6的内存容量，考虑到现在都可以制造出单条256GB的内存，未来单条1TB的DDR6内存不是梦。

按照三星的计划，DDR6预计会在2024年完成设计，不过2025年之前是不可能见到产品的，未来普及的话可能更远，毕竟DDR5现在也就是刚刚商用阶段。

审核编辑：彭静

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