三星3nm芯片量产 2nm芯片还远吗

　　三星3nm芯片量产 2nm芯片还远吗

　　全球第一款正式量产的3nm芯片即将出自三星半导体了，根据三星半导体官方的宣布，4D（GAA）架构制程技术芯片正式开始生产。

　　4D（GAA）架构制程是3D（FinFET）的进阶，4D（GAA）技术被认为是“下一代”的晶体管技术。根据三星的数据，相较三星5纳米（nm）而言，优化的3纳米（nm）工艺，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面积减少16%。

　　另外，每一个新工艺新制程的成本和良品率，都是影响新工艺新制程是否能够大范围普及的重要因素， 三星半导体能否超越台积电还要看这两个维度。

　　三星半导体基于3nm全环绕栅极（Gate-All-AroundT，简称 GAA）制程工艺数据表现确实很强，打破了FinFET原有的性能限制，理论上GAAFET工艺的制程芯片可以使得加到晶体管上的电压（阈值电压）变小，这样可以让晶体管的漏电功率也变小（芯片的功耗有50%+为漏电功耗），一旦漏电功耗小了，整体功耗就可以减低，这样的工艺生产出来的芯片发热会变得更小，芯片的效率也可以提高。

　　三星表示要在2022年二季度将实现量产，后续就要看市场反响了。上海磐矽半导体技术有限公司已经下了订单，后续肯定还会有其他厂商的订单；产品一上市场大家就知道好不好了。

芯片功耗数据性能

免责声明：本网信息来自于互联网，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益，请及时联系我们，本站将会在24小时内处理完毕。