Microchip宣布推耐辐射SuperFlash®产品系列

航天器系统设计人员非常需要缩短系统开发时间，并降低系统开发成本和风险。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）提出从商用现货（COTS）器件开始，然后用宇航级等效耐辐射（RT）元件进行替换的理念。Microchip近日宣布扩展其基于商用现货技术的耐辐射SuperFlash®产品系列，将Microchip存储器技术无与伦比的50千拉德（krad）总电离剂量（TID）耐受引入64兆位串行四通道I/O NOR闪存器件，用于恶劣的航天和国防系统环境。

Microchip航天与国防业务部助理副总裁Bob Vampola表示：“SST26LF064RT SuperFlash器件为64兆位串行四通道I/O存储器解决方案带来市场上最佳的TID性能，可与各种空间应用中的任何基于SRAM的FPGA一起工作。这款器件适合近地轨道（LEO）空间卫星和其他恶劣辐射环境中所用的系统，在这些环境中存储驱动完整系统的关键软件代码或比特流需要配套闪存。”

与常规堆叠式栅极闪存相比，Microchip SuperFlash NOR闪存产品提供专有分离式栅极单元架构以改善性能、提高数据保留和可靠性。这些产品消除了电源管理切换的复杂性，即使在闪存仍处于供电和系统运行状态时（比如卫星机载计算机和面向电机、传感器、太阳能电池板与配电的不同类型控制器），也能实现业内高TID。Microchip RT SuperFlash技术已在工业应用中得到验证，现已作为并行接口解决方案与64兆位SST38LF6401RT器件配合使用，该器件现已通过宇航级认证，可用于航天器搭载模型。借助SST26LF064RT产品，设计人员现在还可以选择串行四通道I/O 64兆位存储器。

应用笔记说明如何将64兆位串行SuperFlash器件与Microchip的SST26LF064RT RT闪存参考评估板和宇航级基于SRAM 的FPGA配合使用。与Microchip的并行SuperFlash存储器一样，串行SuperFlash产品也可用作FPGA和其他Microchip解决方案的配置存储器，比如基于arm® Cortex®-M7的SAMRH707抗辐射单片机（MCU）。该产品也可与RT PolarFire® FPGA配合使用，以支持航天器搭载系统的重新配置

供货

Microchip RT SST26LF064RT SuperFlash存储器现在提供陶瓷封装样品。此外，SST38LF6401RT（并行）陶瓷和塑封型航天型号现已供货。这些器件与耐辐射FPGA（RTG4和耐辐射Polarfire）、抗辐射微处理器SAMRH71和抗辐射单片机SAMRH707互补。如需了解更多信息（包括价格），请联系Microchip代表或全球授权分销商。

Microchip从COTS到耐辐射产品的工艺

通过改进旗下成熟可靠的汽车或工业标准产品系列中相关器件的硅工艺，Microchip使这些器件免受重离子环境中的单粒子闩锁影响。通过为每个功能块提供专门的辐射报告，这些经过少量修改的器件的辐射性能得到充分的表征。设计人员可以使用易于获取的COTS器件开始系统部署，然后在PCB阶段将其替换为引脚兼容的宇航级器件。

审核编辑：彭菁

微处理器辐射公司产品

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