三星将中断12nm DRAM芯片开发，直接跨入11nm

近日，据韩媒报道称，三星的研发人员收到了中断1b工艺DRAM芯片开发的命令，要求直接研发1c工艺DRAM芯片，也就是跳过12nm工艺直接研发11nm工艺。

在此之前，三星也做出过类似的决定。曾经各大厂商都专心研究28nm DRAM芯片时，三星同样跨过了28nm，直接开始研发25nm工艺，最终取得了成功。

这次三星同样想靠弯道超车来与其他厂商拉开差距，占据行业领先地位。三星计划在6月完成11nm DRAM芯片的开发工作。

综合整理自 比特网 萬仟网 中文科技资讯

审核编辑 黄昊宇

芯片中断差距行业

免责声明：本网信息来自于互联网，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益，请及时联系我们，本站将会在24小时内处理完毕。