ST超结快速恢复硅基功率MOSFET优化体二极管平缓性

新型硅基快速恢复体二极管超结 MOSFET系列为全桥相移ZVS拓扑提供理想的效率和可靠性

ST超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS（on）x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率和功率水平，适用于工业和汽车应用。该产品系列提供了广泛的封装选项，包括长引线 TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封装。

最新的快速恢复体二极管超结MOSFET技术针对要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器进行了优化。

STPOWER MOSFET MDmesh DM9系列的击穿电压范围600 - 650V，降低了反向恢复效应，提升了最高允许di/dt和dv/dt。具有极低的通态电阻（RDS（on））和栅电荷（Qg），与同类竞争器件和意法半导体先前的技术相比，帮助设计人员获得了更高的效率水平。

关键特性

行业领先的品质因数（RDS（on） x Qg）

体二极管反向恢复时间（trr）性能提高

提高了dv/dt（120V/ns）和di/dt能力（1300A/μs）

优化了体二极管恢复阶段和平缓性

审核编辑：彭静

恢复优化功率相移

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