三星的UFS4.0闪存芯片预计第三季度正式量产

虽然是三星的智能手机业务在中国市场长期受挫，但在海外其他市场中，三星的智能手机销量仍然能够与苹果并驾齐驱，尤其是在拉丁美洲等市场，三星的智能手机销量一直稳定处于第一的位置，海外市场销量的优秀表现也让三星在全球智能手机的总销量处于第一的位置，而且相较第二名的苹果拉开非常大的差距优势。

其实即便没有智能手机的高销量，三星凭借自家的元件供应，每年也有着不菲的收入，例如三星的AMOLED显示屏，几乎全球所有手机厂商的中高端机型均会大量采购，除此之外，三星的内存芯片和microSD扩展存储卡也是全球市场的通销货，在智能手机行业中，UFS3.1是当前的主流存储芯片规格，不过距离发布时间还不是特别长，但三星却在近期带来了全新的大版本更新——UFS4.0闪存芯片。

三星的UFS4.0闪存芯片采用全新第7代V-NAND技术，传输带宽每通道达到23.2Gbps，相较UFS3.1提升一倍，顺序读取速度可以达到4200MB/s，同时顺序写入速度也提升到2800MB/s，相较于上一代的UFS3.1，UFS4.0的顺序读写速度均做到了翻倍提升，同时UFS4.0的另一项使命是将推动1TB存储版本在智能手机等移动设备产品的普及。

三星的UFS4.0闪存芯片预计将会在今年第三季度正式量产应用，首批采用UFS4.0的产品可能会是三星自家的高端旗舰，今年的三星Galaxy Z Fold4和三星Galaxy Z Flip4或许将会首发，而后续采用UFS4.0闪存规格的机型或许就要等到2023年的三星Galaxy S23系列了，至于其他厂商的机型，或许也同样要等到明年才有可能采用了。

除了智能手机之外，三星的UFS4.0还将拓展应用到智能汽车以及体验元宇宙的AR、VR等设备中，这应该也是接下来几年时间里，各家厂商竞争焦点高度集中的行业，三星自家虽然可能不会轻易自主造车，但再打造一款全新的AR设备或VR设备还是非常有可能的。

闪存芯片提升通道

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