纳微半导体助力 realme 发布全球最快智能手机充电技术

全球首款160W氮化镓充电器亮相MWC 2022，纳微半导体GaNFast™️技术进入realme GT Neo 3智能手机供应链

西班牙巴塞罗那：2022 年 3 月 1 日讯 — 氮化镓 （GaN） 功率芯片的行业领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布，当地时间本周一在西班牙巴塞罗那举办的MWC世界移动通讯大会上发布的realme GT Neo 3 智能手机系列标配充电器，正式采用了纳微半导体旗下的GaNFast 氮化镓功率芯片。

即将正式上市的realme GT Neo 3 搭载联发科天玑8100芯片，配备的150W 光速闪充，是目前业界最快、最强大的商用充电解决方案。

围绕纳微 GaNFast 功率芯片构建的 160W 充电器能在 5 分钟内为手机的 4500 mAh 电池充满50%的电量，氮化镓快充技术得到了充分发挥，这款充电器的尺寸仅为 58mm*58mm*30mm，重量仅为 101cc，实现了业界领先的1.66w/cc的功率密度。

氮化镓是下一代半导体技术，其运行速度比传统硅功率芯片快 20 倍。纳微半导体专有的氮化镓功率芯片在单个 SMT 封装中，集成了 GaN 功率 （FET） ， GaN 驱动，控制和保护功能，是易于使用、高速、高性能的“数字输入、电源输出”构建模块，和传统硅方案充电器相比，充电速度提升高达 3 倍、缩小了一半的尺寸和重量，节能高达 40%。

徐起，realme副总裁，全球营销总裁兼中国区总裁对产品的发布表示：“我们的光速秒充技术实现了全球最快的智能手机充电解决方案，为新realme GT Neo 3的用户在最短的时间内为手机充满电提供了灵活性和便利性。纳微半导体GaNFast氮化镓功率芯片是实现这一充电性能跨越，同时保持充电器轻盈小巧的重要基石。”

纳微半导体首席执行官兼联合创始人 Gene Sheridan 表示：“纳微半导体在此衷心祝贺 realme即将全球首发的 GT Neo 3 系列，并祝贺其实现全球首个量产的 150W 充电商业解决方案。纳微深感荣幸，GaNFast 技术能助力这一快充领域的里程碑。realme 打造的全新 150W光速秒充，为新一代移动快充的效率、速度和外形尺寸设立了新的标准。”

智能手机芯片半导体助力

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