Nexperia发布增强型电热模型 罗姆开发8英寸新一代SiC MOSFET

Nexperia发布增强型电热模型

基本半导体专家Nexperia今天宣布为其 MOSFET 器件发布新的增强型电热模型。半导体制造商通常会为其 MOSFET 提供仿真模型，但这些模型通常只包含在典型工作温度下建模的有限数量的器件参数。Nexperia 的新高级模型可在 -55 °C 至 175 °C 的整个工作温度范围内捕获整套设备参数的热相关性。

这些高级模型中包含反向二极管恢复时间和设备电磁兼容性 （EMC） 性能，进一步提高了整体精度。这些使工程师能够创建准确的电路和系统级仿真，并在承诺构建原型之前评估电气、热和 EMC 性能。这些模型还有助于节省时间和资源，因为以前需要确保他们的设计可以在（不太可能的）最坏情况下运行的工程师现在可以在特定温度范围内模拟他们的设计。

Nexperia 与一家 1 级 OEM 密切合作开发了这些模型，该 OEM 的要求无法满足目前可用的任何其他设备。Nexperia 的应用工程师 Andy Berry 表示：“这些新的先进电热模型旨在让设计人员对其电路仿真结果充满信心”。“模型在双脉冲测试期间预测真实设备行为的准确性证明了他们前所未有的精度水平。我们合作伙伴的初步反馈表明，这些模型是他们见过的最精确的模型。

罗姆开发8英寸新一代SiC MOSFET

全球知名半导体制造商罗姆（ROHM Co.， Ltd.，以下简称“罗姆”）针对日本国立研究开发法人新能源产业技术综合开发机构（以下简称“NEDO”）公开征集的“绿色创新基金事业/新一代数字基础设施建设”项目的研发项目之一“新一代功率半导体产品制造技术开发”，提出“8英寸新一代SiC MOSFET的开发”（以下简称“本项目”）方案，并成功入选。

“绿色创新基金”是2020年12月25日由日本经济产业省会同相关省厅制定的“2050年碳中和绿色增长战略”中，为打造“经济增长与环境保护的良性循环”而设立的基金。

“新一代数字基础设施建设”项目的目标是促进实现碳中和社会所不可或缺的数字基础设施的节能化和高性能化的研发和社会实际应用。而本项目则旨在通过提高新一代半导体制造技术能力，促进其在电动汽车和工业设备等各种设备和设施中的普及。

NVIDIA为 Maxine 添加回声消除和基于 AI 的上采样技术

NVIDIA Maxine 提供了 GPU 加速且支持 AI 软件开发套件，可帮助开发者构建可扩展的低延迟音频和视频效果管线，提高通话质量和用户体验。

音频超分辨率可使用基于 AI 的技术恢复较高频段中丢失的能量，提高低带宽音频信号的质量。Maxine 音频超分辨率支持将音频从 8 kHz（窄带）到 16 kHz（宽带）、从 16 kHz 到 48 kHz（超宽带）以及从 8 kHz 到 48 kHz 的上采样。较低的采样率（例如 8 kHz）通常会导致声音含糊不清，并会突出齿音等瑕疵，导致语音难以理解。

为了保持原始信号的保真度和清晰度，现代影视工作室通常使用 48 kHz（或更高）的采样率录制音频。音频超分辨率可帮助恢复时间久远的音频录音（例如源自磁带或其他低带宽介质的音频录音）的保真度。

本文综合整理自Nexperia 罗姆 NVIDIA
审核编辑：彭菁

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