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英飞凌CoolSiC功率模块降低电轨能耗 ST双通道高边开关提高设计灵活性
2022-03-11 17:53:00
英飞凌的CoolSiC™功率模块可将有轨电车的能耗降低10%
逐步消除使用化石燃料的全球趋势对包括交通运输在内的众多行业产生了挑战。考虑到绿色交通的未来要求,必须开发新技术,特别是提高能源效率是一个关键目标。为支持这一趋势,英飞凌科技股份公司将推出采用 CoolSiC™ MOSFET 和 XHP™ 2 封装的 .XT 技术的功率半导体——专为满足铁路服务的要求而定制。
英飞凌的 XHP 2 功率模块已经在 Siemens Mobility 和 Stadtwerke München (SWM) 进行的联合现场测试中证明了其价值。慕尼黑的一辆 Avenio 有轨电车配备了这些电源模块,并在客运服务中进行了一年的测试,行驶里程约为 65,000 公里。Siemens Mobility 得出结论,这种基于碳化硅 (SiC) 的功率半导体的使用使得有轨电车的能耗降低 10% 成为可能。同时,还可以显着降低运行期间的发动机噪音。
在牵引推进系统的功率模块中实施 SiC 也可能带来重大挑战:除了高效且非常坚固的 SiC 芯片外,还需要能够实现高开关速度的封装,以及能够延长使用寿命的互连技术。这些正是英飞凌功率模块所提供的特性:由于列车频繁加速和减速,铁路应用中半导体的功率循环要求非常高。恒定的温度波动给互连技术带来了压力。英飞凌的 .XT 技术为这一挑战提供了解决方案。该技术显着提高了动力循环期间的使用寿命,并且多年来已成功用于类似具有挑战性的应用,例如风力涡轮机。
意法半导体双通道高边开关为容性负载驱动设计带来更多灵活性
意法半导体最新的智能驱动高边开关IPS2050H和IPS2050H-32可设置两个限流值,适用于启动电流很大的容性负载。
这两款新双通道开关的输入电压范围为 8V 至 60V,输入引脚最大耐受电压为65V,确保该器件在工业应用中具有很高的设计灵活性和工作可靠性。内部集成的功率 MOSFET晶体管的导通电阻Rds(on)很小,因此能效很高,热耗散功率很低。此外,MOSFET单脉冲雪崩能量在2A时大于1J,这可以提高开关在驱动感性负载时的可靠性。开关还集成一个有源钳位电路,可以实现快速退磁。
为增强电气安全性和开关可靠性,新器件提供全面的保护诊断功能,包括欠压锁定 (UVLO)、过压保护、过载保护、短路保护、接地断开保护和 Vcc 断开保护。每个通道都有独立的故障信号机制,用以指示过载和结温过高事件。新产品还额外提供一个外壳过热保护传感器。这两款新产品符合 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4 和 IEC 61000-4-5 的 ESD、快速瞬变和浪涌抗扰度规范。
综合英飞凌和意法半导体官网整合
审核编辑:郭婷
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