微容获得业内首个MLCC陶瓷晶粒分析方法发明专利，高容量MLCC技术再突破

近日，微容获得国家知识产权局颁发的发明专利证书：《一种便于分析MLCC陶瓷晶粒的样品处理方法》。此项专利是行业首个关于MLCC介质结构分析的发明专利，对高容量MLCC的研发与生产具有重大意义。

近年来，随着各类电子产品高度智能化和互联化发展，上游的电子元器件也经历着不断的技术变革。对MLCC而言，高容量是最重要的发展方向之一。

MLCC的高容量性能主要通过精密的材料和多层电极堆叠实现，其中关键的陶瓷介电材质已经进入纳米级的水平，对于这样精密材料的深入研究，需要使用精密的分析方法。

目前常用的陶瓷晶体形貌分析方法是化学腐蚀法，它操作简单方便，但对于于粒径较小的粉体以及耐酸腐蚀性强的粉体效果不明显。所以，对于高容量MLCC中使用的更精密的材料分析，热腐蚀法更能满足要求。然而，热腐蚀条件复杂，设备要求高，目前行业都没有公开的MLCC介质热腐蚀方法相关专利或资料。

为了解决这个高容量MLCC研发的关键问题，微容科技黄博士带领行业资深研发人员，利用升温速率达到10000℃/小时的烧结设备，探索出晶界挥发而晶粒形态保留的最佳条件和处理方法，成功应用于烧结后陶瓷介质的分析。

此项发明专利凭借其创新性与突破性，不到4个月的时间就通过了国家知识产权局的授权，成为同类技术的第一项发明专利，其科研价值和质量水平得到了的高度肯定。

本次关于陶瓷介质分析的发明专利，也是微容科技持续高研发投入的典型科研成果。公司专注于MLCC研究，已获得多项MLCC研发及制造专利，在高端MLCC领域的突破获得广泛认可。在中国电子元件协会公布的2021年电子元件百强企业中，微容科技研发实力位列第五。

突破方法容量电材

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