芯片制造工艺流程步骤是什么

芯片的制造需要百个步骤，工程量巨大，一颗小小的芯片从设计到量产可能需要四个月的时间。那么下面我们一起来看看芯片制造工艺流程步骤。

芯片制造工艺流程步骤

沉积：将材料薄膜沉积到晶圆上。材料可以是导体、绝缘体或半导体。

光刻胶涂覆：在晶圆上涂覆光敏材料“光刻胶”或“光阻”，然后将晶圆放入光刻机。

曝光：在掩模版上制作需要印刷的图案蓝图。

计算光刻：对掩模版上的图案进行调整，确保最终光刻图案的准确。

烘烤与显影：洗去多余光刻胶，部分涂层留出空白部分。

刻蚀：气体等材料去除多余的空白部分，形成3D电路图案。

计量和检验：进行计量和检验，过程确保没有任何误差。检测结果反馈至光刻系统。

离子注入：用正离子或负离子轰击晶圆，对部分图案的半导体特性进行调整。

视需要重复制程步驟：从薄膜沉积到去除光刻胶，整个流程为晶圆片覆盖上一层图案，这一流程需要不断重复100多次。

封装芯片：最后一步，切割晶圆，获得单个芯片，封装在保护壳中。

本文综合自澎拜，立创商城

审核编辑：何安

芯片步骤计算模版

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