这家基于忆阻器的存算一体AI芯片供应商 完成过亿元融资

近日消息，亿铸科技（杭州）有限责任公司（简称“亿铸科技”）宣布完成过亿元天使轮融资，本轮融资由中科创星、联想之星和汇芯投资（国家5G创新中心）联合领投。

亿铸科技成立于2021年9月，是目前国内唯一能自主设计并量产基于忆阻器（ReRAM）的“存算一体”算力芯片的供应商。该公司拥有世界顶级的科研、工程及顾问团队，为数据中心和自动驾驶等领域打造能效比十倍于现有技术的解决方案。

中科创星合伙人林佳亮表示：“亿铸科技是中科创星在先进算力芯片方向上的一个重量级的投资项目。我们非常看好亿铸基于ReRAM的路线来实现大算力的存算一体芯片，以解决现有技术方案中遇到的功耗墙和内存墙的问题，这将使挑战现有AI芯片行业格局成为可能。”

忆阻器（Memristor），是继电阻、电容、电感之后的第四种电路基本元件，这种组件的电阻会随着通过的电流量而改变，最早是由美籍华人蔡少棠教授于1971年基于电路理论推理发现并证明的。忆阻器是表示磁通与电荷关系的电路器件。

图源自《AI芯片前沿技术与创新未来》

2008年，惠普公司的斯坦利·威廉（Stanley Williams）等人第一次在实验室里将用二氧化钛（TiO2）制成的纳米元件夹在两个铂电极之间（Pt-TiO2-x-Pt），做出了世界上第一个基于TiO2薄膜的基本元件，即忆阻器。

自惠普忆阻器原型问世以来，已有百余所研究机构参与，不仅英、德、韩等国相继加入，Intel、IBM等科技巨头也在美国军方支持下砸下重金。2009年，科技部启动国际合作项目“忆阻器材料及其原型器件”，缪向水是项目负责人，他坦承，“国内忆阻器研究还处于初始阶段”。

忆阻器本身就像一个矩阵排列，最适合进行点积乘法和累加运算，而这类运算占深度学习算法中的绝大部分。乘积累加操作可以通过将忆阻器这样的可编程阻变元件直接集成到非易失性高密度存储芯片中来实现，处理单元被嵌入存储器中，可减少数据移动。可以看到忆阻器本身就已具备存内计算的特质，非常适合用于存算一体芯片技术方向。

基于忆阻器的存算一体芯片近年来有些进展，2020年2月26日，清华大学微电子所、未来芯片技术高精尖创新中心钱鹤、吴华强教授团队，与合作者共同研发出一款基于多个忆阻器阵列的存算一体系统，在处理卷积神经网络时的能效，比图形处理器芯片高两个数量级，大幅提升计算设备的算力，且比传统芯片的功耗降低100倍。

不过忆阻器目前多数还处于小批量试产阶段，因此基于忆阻器存算一体芯片，会面临忆阻器开发时间长等问题，这可能就忆阻器存算一体芯片的一大难点。而亿铸科技作为目前国内唯一能够自主设计量产基于忆阻器存算搜一体算力芯片的供应商，自然会备受资本青睐。

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