SiT5356：SiTime Stratum 3高精密±0.1ppm温补晶振TCXO

关于作者--SiTime样品中心

为了加速SiTime MEMS硅晶振产品的应用普及，让中国电子工程师能快速体验MEMS硅晶振的高稳定性、高可靠性、超小封装、超低功耗、超低抖动等更多优势，SiTime公司联合本土半导体分销商北京晶圆电子有限公司共同建立SiTime样品中心，为用户提供免费样品申请，小批量试产、现货应急、特价申请、技术支持等便捷服务，更多信息请访问www.sitimechina.com，客户服务热线400-888-2483。

SiT5356是SiTime推出的一款1-60MHZ输出的超高精度、抗冲击、芯片级、可编程的温度补偿型振荡器，可提供0.1 ppb/g 振动免疫力，不会产生频率扰动或微跳变。广泛应用于小型基站、IEEE1588、光传送 - SONET / SDH，OTN、同步以太网及光学设备。

SiT5356具有超高的稳定性（±0.1 ppm至±0.25 ppm），出色的动态性能和丰富的功能。将会让小型基站、微波回传、同步以太网及光学设备的动态性能提升30 倍，动态稳定性提升 10 倍达 1 ppb/℃，可取代 IEEE 1588 应用中价格昂贵的恒温槽控制石英晶振（OCXO）；抗振性增加 20 倍，确保系统持续运行；10/40/100G 以太网的可靠性提升30 倍；可运行于-40℃至 +105℃温度范围，特别适合无风扇户外设备。在高温、热震荡、振动以及不可预期的气流下持续运行。

SiT5356选型参数

振荡器类型：TCXO

频率：1 - 60MHz任意频率，可精确到小数点后6位

频率稳定性：±0.1ppm、±0.2ppm、±0.25ppm

相位抖动（rms）：0.31ps

输出类型：LVCMOS、Clipped sinewave（削峰正弦波）

工作温度：-20℃ ~ ＋70℃、-40℃ ~ +80℃、-40℃ ~ ＋105℃

牵引范围：±6.25ppm、±10ppm、±12.5ppm、±25ppm、±50ppm、±80ppm、±100ppm、±125ppm、±150ppm、±200ppm、±400ppm、±600ppm、±800ppm、±1600ppm、±3200ppm

电源电压：2.5V、2.8V、3.0V、3.3V

封装尺寸：5.0mm x 3.2mm

SiT5356特点

在气流、快速温度和斜坡作用下，具有优异的动态稳定性

±100ppb的频率稳定性

3e-11 ADEV 在 10 秒平均时间

±15 ppb/°C 频率斜率 (ΔF/ΔT)，10°C/min 斜坡

确保恶劣环境中电信和网络设备的系统级服务质量

振动下的相位噪声提高 20 倍

最大限度地减少高振动环境中的呼叫和/或链路中断

没有活动下降或微跳

无需进行昂贵的筛选或老化测试

0.2 ps/mV 电源噪声抑制 (PSNR)

通过消除用于 TCXO 的专用 LDO 来减少 BOM

LVCMOS 或削波正弦波输出

优化以实现 EMI 和抖动之间的最佳平衡

1 至 60 MHz 之间的任何频率

2.25 至 3.63 V

±6.25 至 ±3200 ppm 的牵引范围

自定义 TCXO 规格以获得最佳系统性能

通过 I2C 进行数字频率调谐

消除电路板噪声引起的频移

10 亿小时 MTBF

终身保修

减少由于时钟组件引起的维修成本和现场故障

SiT5356应用

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为了加速SiTime MEMS硅晶振产品的应用普及，让中国电子工程师能快速体验MEMS硅晶振的高稳定性、高可靠性、超小封装、超低功耗、超低抖动等更多优势，SiTime公司联合本土半导体分销商北京晶圆电子有限公司共同建立SiTime样品中心，为用户提供免费样品申请，小批量试产、现货应急、特价申请、技术支持等便捷服务，更多信息请访问www.sitimechina.com，客户服务热线400-888-2483。

晶振温补高精密SiTime

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