SiT5156：SiTime可编程温补振荡器Super-TCXO，1-60MHz任意频率

关于作者--SiTime样品中心

为了加速SiTime MEMS硅晶振产品的应用普及，让中国电子工程师能快速体验MEMS硅晶振的高稳定性、高可靠性、超小封装、超低功耗、超低抖动等更多优势，SiTime公司联合本土半导体分销商北京晶圆电子有限公司共同建立SiTime样品中心，为用户提供免费样品申请，小批量试产、现货应急、特价申请、技术支持等便捷服务，更多信息请访问www.sitimechina.com，客户服务热线400-888-2483。

SiT5156是SiTime公司推出的一款1-60MHZ输出的高精度、抗冲击、芯片级、可编程的温补振荡器TCXO，可提供0.1 ppb/g 振动免疫力，不会产生频率扰动或微跳变。广泛应用于小型基站、微波回传、存储和服务器、专业音视频设备、同步以太网及光学设备。

SiT5156具有极高的稳定性（±0.5 ppm至±2.5 ppm），出色的动态性能和丰富的功能。 这些设备解决了电信，网络和精密GNSS系统的根深蒂固的时序问题。在降低功耗和尺寸的同时，它们可用于取代新兴的5G和IEEE 1588同步应用中的传统石英OCXO。在高温、热震荡、振动以及不可预期的气流下持续运行。

SiT5156选型参数

振荡器类型：TCXO

频率：1 - 60MHz任意频率，可精确到小数点后6位

频率稳定性：±0.5ppm、±1.0ppm、±2.5ppm

相位抖动（rms）：0.31ps

输出类型：LVCMOS、Clipped sinewave（削峰正弦波）

工作温度：-20℃ ~ ＋70℃、-40℃ ~ +80℃、-40℃ ~ ＋105℃

牵引范围：±6.25ppm、±10ppm、±12.5ppm、±25ppm、±50ppm、±80ppm、±100ppm、±125ppm、±150ppm、±200ppm、±400ppm、±600ppm、±800ppm、±1600ppm、±3200ppm

电源电压：2.5V、2.8V、3.0V、3.3V

封装尺寸：5.0mm x 3.2mm

SiT5156特点

在气流、快速温度和斜坡作用下，具有优异的动态稳定性

±500ppb的频率稳定性b

3e-11 ADEV 在 10 秒平均时间

±15 ppb/°C 频率斜率 (ΔF/ΔT)，10°C/min 斜坡

在任何操作条件下实现最快的卫星锁定

振动下的相位噪声提高 20 倍

最大限度地减少高振动环境中卫星锁定的损失

没有活动下降或微跳

无需进行昂贵的筛选或老化测试

0.2 ps/mV 电源噪声抑制 (PSNR)

通过消除用于 TCXO 的专用 LDO 来减少 BOM

LVCMOS 或削峰正弦波输出

优化以实现 EMI 和抖动之间的最佳平衡

通过 I2C 进行数字频率调谐

消除电路板噪声引起的频移

10 亿小时 MTBF

终身保修

减少由于时钟组件引起的维修成本和现场故障

SiT5156应用

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为了加速SiTime MEMS硅晶振产品的应用普及，让中国电子工程师能快速体验MEMS硅晶振的高稳定性、高可靠性、超小封装、超低功耗、超低抖动等更多优势，SiTime公司联合本土半导体分销商北京晶圆电子有限公司共同建立SiTime样品中心，为用户提供免费样品申请，小批量试产、现货应急、特价申请、技术支持等便捷服务，更多信息请访问www.sitimechina.com，客户服务热线400-888-2483。

温补频率可编程SiTime

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