SiTime MEMS硅晶振特点与性能

关于作者--SiTime样品中心

为了加速SiTime MEMS硅晶振产品的应用普及，让中国电子工程师能快速体验MEMS硅晶振的高稳定性、高可靠性、超小封装、超低功耗、超低抖动等更多优势，SiTime公司联合本土半导体分销商北京晶圆电子有限公司共同建立SiTime样品中心，为用户提供免费样品申请，小批量试产、现货应急、特价申请、技术支持等便捷服务，更多信息请访问www.sitimechina.com，客户服务热线400-888-2483。

SiTime MEMS技术给时钟领域带来了的革命性的变化，提供了比其它时钟厂家更多的功能和更高的性能。 通过领先的MEMS技术结合先进的模拟电路设计技术，可编程SiTime全硅MEMS晶振可以更快、更灵活的满足设计要求。

最广泛的功能

客户借助SiTime可编程晶振几乎可以无限的对频率，电压、精度（PPM）、封装等参数进行组合，使得系统的设计和性能都得到了进一步优化。

可定制的频率：1Hz到650 MHz之间任意频率，可精确到小数点后6位

电源电压：1.8、2.5、2.8或3.3V（宽压范围2.25-3.63v）

频率稳定度：±0.5、±1、±1.5、±2.5、±5、±10、±20、±25、±50ppm

扩频功能：中心扩频和向下扩频的模式选择

数字控制：数控制振荡器（DCXO）抖动滤除和故障保护功能

频率范围可调：VCXO、DCXO、VCTCXO系列具有频率可调功能， 频率牵引范围（±25ppm - ±1600ppm)

输出驱动：可设置驱动能力的大小

封装：行业标准2012、2016、2520、3225、5032、7050和超小型1508芯片级CSP封装以及独特的SOT23-5封装

工作温度范围：商业级，工业级，汽车级以及航天或军工级

输出：输出逻辑选项（单端TTL/COMS和差分LVDS/LVPECL）和输出使能、扩频、 关断、休眠控制模式

提高系统性能

以MEMS为基础的SiTime硅晶振，在系统运行的关键领域提供更高的性能.

良好的频率温度稳定性

SiTime提供0.1至5 ppm的频率稳定度的TCXO（温度补偿振荡器）和XO（单端振荡器）。典型的石英振荡器具有25至100ppm的稳定度。SiTime硅振荡器内置温度补偿电路，使其在整个温度范围内，具有非常好的频率稳定性。

低相位噪声和抖动

SiTime硅晶振可以提供0.5PS（典型）和1 PS（最大）RMS相位抖动（12 kHz到20 MHz）。没有其它的MEMS振荡器能够提供这种水平的性能。

卓越的可靠性

SiTime振荡器是市场上最可靠的振荡器。SiTime振荡器的综合性能是其他硅振荡器的两倍，是石英振荡器的13至40倍。性能的可靠性，使得SiTime 振荡器更适合用于恶劣的环境中。

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为了加速SiTime MEMS硅晶振产品的应用普及，让中国电子工程师能快速体验MEMS硅晶振的高稳定性、高可靠性、超小封装、超低功耗、超低抖动等更多优势，SiTime公司联合本土半导体分销商北京晶圆电子有限公司共同建立SiTime样品中心，为用户提供免费样品申请，小批量试产、现货应急、特价申请、技术支持等便捷服务，更多信息请访问www.sitimechina.com，客户服务热线400-888-2483。

晶振性能SiTimeMEMS

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