LED静电击穿点观察失效分析

　　LED芯片漏电可能是芯片工艺不规范，或者金属层氧化腐蚀，也有可能静电击穿。大的静电击穿点可以肉眼或者光学显微镜观察，小的静电击穿点必须通过扫描电镜观测鉴定。金鉴检测提供LED静电击穿点鉴定观察服务，作为第三方帮助LED产业用户鉴定事故责任方。

　　由于环境中存在不同程度的静电，通过静电感应或直接转移等形式LED芯片的PN结两端会积聚一定数量极性相反的静电电荷，形成不同程度的静电电压。当静电电压超过LED的最大承受值时，静电电荷将以极短的时间（纳秒）在LED芯片的两个电极间放电，从而产生热量。在LED芯片内部的导电层、PN结发光层形成1400℃以上的高温，高温导致局部熔融成小孔，从而造成LED漏电、变暗、死灯，短路等现象。

扫描电镜下的LED静电击穿点（放大倍数：1.3万倍）

　　静电对LED反向放电时，电流比正向放电更加集中，功率密度更加大，因此LED反向放电ESD失效阈值比正向低得多，也就是LED反向承受静电的电压要低得多，因此对LED的抗静电评估对其反向抗静电能力评估是最合理的。

　　静电损伤是LED第一失效原因,选用高质量，抗静电能力强的芯片和灯珠能帮您规避此类失效原因，具体的第三方抗静电能力测试服务可见链接http://www.gmatg.com/caseDetail-130.html

       ymf

失效芯片服务鉴定

免责声明：本网信息来自于互联网，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益，请及时联系我们，本站将会在24小时内处理完毕。