SK海力士：采用EUV技术的第四代10纳米级DRAM已量产

近日，SK海力士在官网宣布，适用第四代10纳米（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb）LPDDR4 移动端DRAM（动态随机存储器）产品已于7月初开始量产。

自从10纳米级DRAM产品开始，半导体业内将每一代工艺节点都以标注英文字母的方式起名，此次SK海力士量产的1a纳米级工艺是继1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工艺节点。公司预计从下半年开始向智能手机厂商供应适用1a纳米级技术的移动端DRAM。

工艺的极度细微化趋势使半导体厂商陆续导入EUV设备，并将其投入在晶圆上绘制电路的光刻工艺当中。业界认为采用EUV技术的水平将成为今后决定技术领导地位的重要因素。SK海力士通过此次量产确保了EUV工艺技术的稳定性，并表示未来的1a纳米级 DRAM都将采用EUV工艺进行生产。

SK海力士期待通过新产品生产效率的提升得以确保更高的成本竞争力。相较前一代1z纳米级工艺的同样规格产品，1a纳米级DRAM在每一张晶圆中可产出的产品数量约提高了25%。在今年全球DRAM需求持续增长的背景下，公司期待1a纳米级DRAM在全球存储半导体供需中扮演重要角色。

此次新产品稳定支持 LPDDR4 移动端DRAM规格的最高速度（4266Mbps），并相较前一代产品其功耗也降低了约20%. SK海力士认为此次新产品进一步强化了低功耗的优势，助力碳排放量的减少，充分体现了SK海力士注重ESG（环境、社会、公司治理）经营的精神理念。

据了解，这是SK海力士首次采用EUV技术进行量产的DRAM。SK海力士计划从明年初开始将1a纳米级工艺导入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。

Strategy Analytics 机构研究报告显示，2021 年第一季度，全球智能手机存储芯片市场总销售额达到 114 亿美元，同比增长 21%。其中，三星占据 49% 的市场份额，排名第一；SK 海力士、美光紧随其后。

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产品移动端节点标注

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