又一个里程碑！全球首家8英寸氮化镓工厂量产

2021年6月5日，英诺赛科（苏州）半导体有限公司在苏州汾湖高新区举办量产暨研发楼奠基仪式。英诺赛科成立于2015年，是全球领先的硅基氮化镓IDM企业，致力于8英寸GaN电力电子器件的研发与生产，在珠海和苏州均设有8英寸硅基氮化镓量产线。

英诺赛科苏州一期项目于2018年6月奠基，2019年8月完成主厂房封顶，2020年9月设备搬入，截至现在量产历时仅三年时间，英诺赛科（苏州）半导体有限公司总经理孙在亨先生在量产仪式上表示，“今天我们无比骄傲的宣布，全世界最大的氮化镓工厂即将量产。”

英诺赛科是世界第一家实现8英寸硅基氮化镓量产的企业，早在2017年底公司就成功建成世界首条8英寸氮化镓产线，并推出从低压到高压的全线产品。苏州一期项目投产之后，预计2021年底产能可达6000片/月，2022年底项目全部达产后，苏州工厂将实现年产能78万片。

当前世界正飞速发展，科技不断创新，而硅材料经过70年的开发已经达到材料极限，相比之下，第三代半导体材料氮化镓具备较多优势，比如可在更高温度下工作，具有更高的效率、功率密度、更快的开发速度以及更小的尺寸，这些正是未来产业发展所需要的特性。

过去两年，基于硅基氮化镓的市场应用取得了非常多突破，开始从消费，到工业、再到汽车全方位改变了应用思路，硅基氮化镓在诸如5G、新能源汽车、激光雷达、手机、PD快充、无线充电和数据中心等领域都发挥了巨大的潜力。

英诺赛科在消费类、工业和汽车等各个领域进行了全面布局，并取得非常可观的进展，在快充适配器市场，英诺赛科已经量产的客户超过60家，出货量高达千万级，在激光雷达应用领域的出货量也达到百万级，在数据中心领域也已经和多家合作伙伴，量产了相关产品。

孙在亨先生表示，“基于氮化镓的应用将会是半导体未来十年增长最快的领域，氮化镓器件的需求也将成指数级增长，氮化镓时代来临了，今天随着苏州工厂的成功量产，英诺赛科已经做好全面准备，迎接氮化镓时代的到来。”

当天举办的还有研发大楼奠基仪式，研发楼建筑面积3.5万平方米，共十层，高50米，融合办公、研发、餐厅三大功能。从规划来看，该研发楼形体如初生的太阳寓意着企业蓬勃发展、似江南的飞桥彰显科技联系世界。

中国半导体行业协会副理事长、国家大基金总裁丁文武在发言中表示，“英诺赛科的量产是我国在化合物半导体领域又一个里程碑，英诺赛科逐渐成长为我国氮化镓领域最大的企业。”

同时他认为，包括氮化镓在内的半导体化合物未来有很好发展前景，当前我国的化合物半导体还处于逐渐发展的阶段，这个产业从起步到逐步发展、以及今后的发展壮大，还需要各方面的支持和鼓励。

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诺赛工厂里程碑项目

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