英特尔针对7纳米工艺节点做出哪些关键改进？

据称，该GPU计划是迄今为止最大，设计最多的芯片：将具有1000个执行单元（EU），内核数量超过8000个，采用了7种关键技术，包含47个Tile，是有史以来尺寸最大、最复杂的GPU。

英特尔新GPU：Foveros 3D封装不同代工厂Tile

英特尔的Ponte Vecchio GPU集成了超过1000亿个晶体管，47颗XPU Tile以及各种制程节点的混搭。这款GPU采用了Xe-HPC图形架构，该架构是基于英特尔7nm EUV节点的旗舰产品。

除此之外，该芯片还有大量基于不同工艺节点的Tile，其中一些Xe-HPC Tile由台积电等外部晶圆代工厂生产。

目前，尚无法确定英特尔是否会采用台积电的7nm或7nm+ EUV工艺节点，但是鉴于台积电代工的Xe Link I/O Tile采用了标准的非EUV 7nm工艺，英特尔可能会继续采用标准7nm工艺。

英特尔首席架构师Raja Koduri曾经说Ponte Vecchio GPU采用了7项先进技术，技术媒体Wccftech给出了具体名单：

英特尔7nm工艺、台积电7nm工艺、Foveros 3D封装、EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术、英特尔增强型10nm SuperFin工艺、Rambo Cache（兰博缓存）与HBM2显存。

Raja Koduri也在推特上公布了47颗Tile分别是什么：16颗Xe HPC（internal/external）、8颗Rambo（internal、2颗Xe Base（internal）、11颗EMIB（internal）、2颗Xe Link（external）和8颗HBM（external）。

Ponte Vecchio实际上由两个独立GPU芯片组成，每个GPU包含六个Xe-HPC计算单元。

一对Xe-HPC计算单元直接与兰博缓存相连，兰博缓存采用了英特尔增强型10nm SuperFin工艺。

每个GPU还连接了四个HBM2显存，HBM2采用4Hi或8Hi堆叠（可以简单理解为4层或8层）。一共八个HBM2可以提供多GB的内存容量和带宽负载。此外，每个GPU上还有8个Passive Die Stiffeners。

总体来说，英特尔Xe HPC这款MCM结构GPU处理器使用了最先进的Foveros 3D封装技术，将多个来自不同代工厂，使用不同工艺制作的Tile集成在一个平台上，EMIB技术则将HBM2、Xe Link I/O等Tile与GPU互连。

所有这些整合形成了Ponte Vecchio Xe-HPC GPU。

执行单元数量将超1000，提供40倍双精度浮点算术能力

英特尔此前曾介绍过，其Xe-HPC GPU将具有1000个执行单元（EU）。到目前为止，Xe LP有96个EU，它们构成了总共768个内核。

新GPU的每个子层（subslice）有8个EU。第12代GPU中的subslice类似于英伟达SM单元或AMD的CU单元。

而在英特尔的9.5和11代GPU上，每个subslice具有8个EU，因此如果12代保持相同的层次结构，人们将能看到大量由subslice组成的超级切片。从目前的图片上看，英特尔第12代GPU将有8个算术逻辑单元（ALU），与11代和9.5代保持一致。

大致来说，一个GPU芯片将有1000个EU单元，8000个内核，而实际内核数量还要更多。而Xe HP GPU的HPC尺寸也将更大。

Wccftech列出了英特尔GPU的实际EU单元、对内核数量的估计。功率和TFLOPS（每秒浮点运算次数）等数据：

英特尔Xe HP （12.5） 2-Tile GPU： 1024个EU单元，8192个内核，20.48 TFLOPS，1.25 GHz，300W；

英特尔Xe HP （12.5） 4-Tile GPU： 2048个EU单元，16384个内核，36 TFLOPS，1.1 GHz，400W-500W。

英特尔Xe类GPU具有下面几种可变矢量宽度（vector width）：SIMT（GPU）、SIMD（CPU）、SIMT+SIMD（最高性能）。

Raja Koduri谈到，英特尔的Xe HPC GPU能够扩展到1000个EU，EU通过几个高带宽内存通道与XE内存结构相连，并且每个EU单元都进行了升级，可以提供40倍的双精度浮点计算能力。

兰博缓存则将在整个双精度工作负载中提供可持续的FP64计算性能。

就工艺优化而言，以下是英特尔针对7纳米工艺节点的一些关键改进：

1、相较10nm节点具有两倍的密度缩放优势；

2、内部的节点优化；

3、DR（Design Rules）的4倍缩减；

4、采用了EUV光刻技术；

5、新一代Foveros和EMIB封装。
责任编辑:pj

英特尔芯片计划执行

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