Intel Xe HPC芯片的内部照片曝光： 双芯、7种工艺

Intel Xe独立显卡正在稳步推进，分为四种不同架构分路出击。

其中，基于Xe LP低功耗架构的核显版、移动独显版、桌面独显版都已经发布出货。

高性能的有Xe HPG、Xe HP、Xe HPC多种版本，全面覆盖游戏、高性能计算、数据中心、人工智能等各种领域，Xe HPG已经点亮，Xe HP正在试产，Xe HPC在开发之中。

Intel高级副总裁、首席架构师、架构图形与软件总经理Raja Koduri今天曝出猛料，第一次公布了Xe HPC芯片的内部照片，并透露它已经准备好点亮（Power On），而且在统一封装内应用了多达7种不同的芯片技术——应该是包含多种制造工艺、封装工艺。

虽然没有任何描述，但是从照片上看，这款Xe HPC芯片采用了2-Tile双芯封装的方式，各自应该有8个计算核心，但不清楚又分为多少执行单元，而在外部则是总共8颗HBM显存堆栈，角落里还有一个用途不明的芯片，疑似独立缓存或互连模块。

Intel早在2019年底就宣布了第一个基于Xe HPC架构的产品，代号“Ponte Vecchio”，7nm工艺制造，Foveros 3D、Co-EMIB混合封装，支持HBM显存、CXL高速互连等、Ramo一致性缓存技术，面向HPC高性能计算、AI人工智能等领域。

Raja声称，Xe HPC架构扩展性极强，可以轻松做到1万个执行单元，每个单元都是全新设计，FP64双精度浮点性能是现在的40倍，通过XEMF（Xe Memory Fabric）总线连接HBM显存，而且CPU、GPU都能访问Rambo缓存。

根据Intel去年公布的最新资料，Xe HPC芯片中的基础模块（Base Tile）采用Intel 10nm SuperFin工艺，计算模块（Compute Tile）同时采用Intel下一代工艺（7nm？）和第三方工艺（台积电7nm？），Rambo缓存模块使用Intel 10nm SuperFin增强版工艺，Xe Link I/O互连输入输出模块则是第三方工艺。

先比之下，Xe LP都是10nm SuperFin，Xe HP都是10nm SuperFin增强版，Xe HPG则是外包。

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