回顾长江存储3D NAND技术的发展进程

媒体消息称，长江存储不仅计划大幅扩产，并准备加快技术开发进程。

日前，有媒体报道称，消息人士透露，长江存储计划到2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍至10万片晶圆，并准备最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片，不过为确保量产芯片质量，该计划有可能会被推迟至今年下半年。

报道引述消息人士之言指出，长江存储自2020年第三季度以来一直忙于引进和安装必要的生产设备与扩大生产。目前长江存储生产64层和128层3D NAND闪存芯片，日后将逐步增加后者的比例。

对于上述消息，全球半导体观察向长江存储求证，长江存储方面表示不予置评。

长江存储的3D NAND技术进程

回顾长江存储的发展历程，其已在短短3年时间内实现了从32层到64层再到128层的跨越。

2016年7月，长江存储由紫光集团联合大基金等共同出资成立，为国家存储器基地项目的实施主体。2016年12月，长江存储一期工厂正式破土动工；2017年9月，长江存储一期工厂实现提前封顶，同年10月，长江存储在武汉新芯12英寸集成电路制造工厂的基础上，通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计并制造了中国首批3D NAND闪存芯片。

从技术开发的时间点来看，2017年7月，长江存储32层3D NAND闪存设计完成；2017年11月，长江存储32层3D NAND闪存实现首次流片。2018年4月，长江存储生产机台进场安装，项目进入量产准备阶段；2018年第三季度，长江存储32层3D NAND闪存实现量产。

在量产32层3D NAND闪存的同时，长江存储也在加速64层3D NAND闪存开发进度。2018年8月，长江存储64层3D NAND闪存实现首次流片，同时推出其全新NAND架构Xtacking®。

2019年9月，长江存储宣布正式量产基于Xtacking® 架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存，这是中国首款64层3D NAND闪存，亦是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品。

2020年4月，长江存储正式宣布，其128层QLC 3D NAND闪存研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证，还同时发布了128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片。

从64层越级跳过96层3D NAND技术，直接攻下128层3D NAND技术，长江存储迅速拉近其与三星、SK海力士、美光等国际大厂的距离，对于中国存储器产业而言是一个重大突破。
责任编辑:tzh

长江闪存存储芯片3D

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