首台大尺寸集成电路单晶硅生长设备试产成功

我国首台新一代大尺寸集成电路单晶硅生长设备在西安实现一次试产成功。这是由西安理工大学和西安奕斯伟设备技术有限公司共同研制的。本次制成的单晶硅棒长度为 2.1 米，直径达 300mm，也就是 12 英寸，标志着我国芯片制造领域中，12 英寸硅晶圆关键技术得到突破，解决了 “卡脖子”难题。

根据科技日报报道，该项目研发由西安理工大学刘丁教授的团队领导。刘丁教授在半导体硅单晶生长领域精耕细作多年，先后主持承担了多个国家科技重大专项、国家自然科学基金重点项目等，近年来取得了技术突破，获得了一批标志性成果。

根据奕斯伟的介绍，硅单晶棒的制作首先需要将高纯多晶硅放入石英坩埚，加热至1400℃以上，融化成硅溶液，再把籽晶浸入硅熔液，经过引晶、放肩、转肩、等径生长、收尾等步骤，完成一根单晶硅棒的拉制。在单晶硅棒产出后，将晶棒切割成 300~400 毫米长的硅块，之后采用线切割得到厚度约 1 毫米的薄片，再对其进行抛光、清洗加工，得到高品质的抛光片。

西安奕斯伟硅片技术有限公司是国内大型单晶硅制造骨干企业，2018 年起与西安理工大学刘丁教授的团队合作。该公司能够制造无位错、无原生缺陷、超平坦和优良纳米形貌的 12 英寸硅片，用于 28nm 以下集成电路芯片的制作。此外，公司还提供硅片加工、清洗及外延等服务。

目前，奕斯伟在西安拥有一座硅产业基地，分两期进行建设，一期设计产能 50 万片 / 月。本次大型单晶硅生长设备的成功制作，有利于满足我国在集成电路发展的迫切需要，摆脱受制于人的情况。

本文由电子发烧友综合报道，内容参考自科技日报、it之家，转载请注明以上来源。

试产生长突破芯片

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