第三代功率半导体发展面临哪些挑战?

小鹏汽车动力总成中心IPU硬件高级专家陈宏在2020第三代半导体支撑新能源汽车创新发展高峰论坛上表示，智能网联汽车朝着高安全性、动力性、智能化、长续航、快速充电方向发展。

陈宏表示，2020-2025年新能源汽车销量以年均25%增长率上升，到2025年销量过700万辆。

陈宏指出，功率半导体在新能源汽车中的应用领域包括：OBC、空调、逆变器、DCDC及附属电气设备。

碳化硅Mos相比硅基IGBT功率半导体具有耐高温，低功耗及耐高压等特点。采用碳化硅技术，电机逆变器效率提升约4%，对应整车续航里程增加约7%。

虽然第三代功率半导体有着诸多优点，但在国内市场与技术之下也面临诸多挑战，如器件成本高，功率器件的良率，EMC：高频信号干扰比硅基IGBT大，SiC器件的制造与封装，器件并联扩容技术，器件及系统散热设计等。

陈宏表示，碳化硅宽禁带半导体技术的发展，对功率模块的封装要求更高，朝着耐高温、高功率密度、低杂散电感、高可靠性封装路线发展。

小鹏汽车希望与产业链合作伙伴，共同推进碳化硅在智能网联汽车中的标准化，推广第三代功率半导体在智能网联汽车中的应用。
责任编辑:tzh

总成专家智能硬件

免责声明：本网信息来自于互联网，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益，请及时联系我们，本站将会在24小时内处理完毕。