中国将突破ASML在极紫外光刻技术上的垄断？

近日，中国科学院官网上发布的一则研究进展显示，该团队研发的新型5nm超高精度激光光刻加工方法，随后这被外界解读为，已经5nm ASML的垄断，对此相关人士也是进行了回应。

据报道称，该论文的通讯作者、中科院研究员、博士生导师刘前公开回应称，这是一个误读，这一技术与极紫外光刻技术是两回事。

按照刘前的说法，如果超高精度激光光刻加工技术能够用于高精度掩模版的制造，则有望提高我国掩模版的制造水平，对现有光刻机的芯片的线宽缩小也是十分有益的。这一技术在知识产权上是完全自主的，成本可能比现在的还低，具有产业化的前景。

但是，即便这一技术实现商用化，要突破荷兰ASML（阿斯麦）在光刻机上的垄断，还有很多核心技术需要突破，例如镜头的数值孔径、光源的波长等。

据悉，高端掩模版在国内还是一项“卡脖子”技术。在半导体领域，除了英特尔、三星、台积电三家能自主制造外，高端掩模版主要被美国的Photronics、大日本印刷株式会社（DNP）以及日本凸版印刷株式会社（Toppan）三家公司垄断，根据第三方市场研究机构前瞻产业研究院的数据，这三家公司的市场份额占到全球的82%。

一直以来，业界都在尝试另一条技术路线，例如华裔科学家、普林斯顿大学周郁在1995年首先提出纳米压印技术，目前仍无法突破商用化的困境

目前的现状是，没有一个国家能够独立自主完成光刻机的制造，中国以一国之力，短期内要突破ASML在极紫外光刻技术上的垄断，几乎是不可能的事情。
责任编辑:pj

垄断显示突破中国

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