智原携手联电打造OLED 驱动晶片

ASIC厂智原26日宣布，旗下采用联电28纳米嵌入式高压(eHV)制程的记忆体编译器，因提供功耗、性能和面积优势，已获多家行动装置OLED驱动晶片大厂采用，多项专案已陆续设计定案(Tape out)。

智原指出，28eHV 基础元件IP 组合，因具有动态节能、支援弹性客制功能，获客户青睐，尤其标准元件库内建多位元正反器组(MBFF)，在设计时脉路径上，可大幅减少动态功耗，适用行动装置。

此外，为搭配不同长宽比的OLED 驱动晶片，28eHV SRAM 记忆体编译器能因应客户需求，弹性提供不同架构组合，加速产生所需文件、模型与电路设计。

智原营运长林世钦表示，由于高端智能型手机OLED 面板，需要大量记忆体缓冲区，实现色彩准确性，因此记忆体编译器在OLED 驱动晶片中至关重要，客户可借助智原、联电的技术合作，使用与28 纳米逻辑制程相同的设计规则，加速开发高解析OLED 面板相关晶片。

智原先前指出，由于客户量产计划从今年递延至明年，加上制程往前推进至40、28 纳米，将优化产品组合，看好毛利率重返50%。

本文由电子发烧友综合报道，内容参考自智原、钜享，转载请注明以上来源。

联电功耗嵌入式高压

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