氮化镓与硅相比有何优势?

氮化镓（GaN）为便携式产品提供更小、更轻、更高效的台式AC-DC电源。氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料。当在电源中使用时，GaN比传统的硅具有更高的效率、更小的尺寸和更轻的重量。传统硅晶体管的损耗有两类，传导损耗和开关损耗。功率晶体管是开关电源功率损耗的主要原因。为了阻止这些损耗，GaN晶体管（取代旧的硅技术）的发展一直受到电力电子行业的关注。

氮化镓在关键领域比硅显示出显著的优势，这使得电源制造商能够显著提高效率。当电流流过晶体管时，开关损耗发生在开关状态的转换过程中。在给定的击穿电压下，GaN提供比硅更小的电阻和随后的开关和传导损耗，因此GaN适配器可以达到95%的效率。

氮化镓对比硅具有的优势

由于GaN器件比硅具有更好的热导率和更高的温度，因此，电源的整体尺寸可能显著减小，可以减少对热管理组件的需求，如大型散热器、机架或风扇。移除这些内部元件，以及增加的开关频率，使得电源不仅更轻，而且更紧凑。

晶体管的高速度、低电阻率和低饱和开关的优点意味着它们有望在电力电子学中找到许多应用案例。因此，工业界正在研究新的电力电子系统结构、电路拓扑和封装解决方案，以实现和优化GaN提供的各种系统优势。

GaN AC-DC台式电源适配器

意识到GaN技术的好处，CUI公司推出了第一款GaN驱动的桌面适配器SDI200G-U和SDI200G-UD系列。

紧凑型新动力车型比非GaN同类产品轻32%，提供200瓦连续功率，设计用于各种便携式工业和消费产品。重量的下降已经看到了从820克大幅减少到560克，适配器提供了更高的开关频率，这也使他们的体积减少了一半以上。这将功率密度从每立方英寸5.3瓦增加到11.4瓦/立方英寸。

SDI200G-U系列提供了一个三叉（C14）进气口，而SDI200G-UD具有一个双管脚（C8）进气口。尺寸为5.91 x 2.13 x 1.3英寸（150 x 54 x 33毫米），SDI200G-U和SDI200G-UD符合UL/EN/IEC 62368-1和60950-1的要求。

这些台式机适配器的特点是功率密度增加了250%，空载功耗低至210兆瓦，通用输入电压范围为90至264伏交流电压。SDI200G-U和SDI200G-UD为用户提供了一个紧凑、高效的桌面适配器，适用于便携式电源和产品美观的应用。
责任编辑:tzh

系统结构案例封装系统

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