中微公司获得政府补助款项1750万元

4月2日消息，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）今日发布公告称，自2020年4月1日至2020年4月2日，累计获得政府补助款项共计人民币1750万元，其中，与收益相关的政府补助为人民币1750万元，与资产相关的政府补助为人民币0万元。

公告显示，上述政府补助未经审计，且转入损益的金额与相关研发项目的进度与投入相关，暂无法评估对2020年度损益的影响。具体的会计处理以及对公司2020年度损益的影响最终以会计师年度审计确认后的结果为准。

中微公司是一家以中国为基地、面向全球的高端半导体微观加工设备公司，公司专注于集成电路、LED关键制造设备，核心产品包括：

1.用于IC集成电路领域的等离子体刻蚀设备（CCP、ICP）、深硅刻蚀设备（TSV）；

2.用于LED芯片领域的MOCVD设备。等离子体刻蚀设备包括电容性等离子体刻蚀设备（CCP,CapacitivelyCoupledPlasma）和电感性等离体刻蚀设备（ICP,InductivelyCoupledPlasma）。电容性等离子体刻蚀设备主要用于刻蚀氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量离子反应刻蚀的介质材料。电感性等离子体刻蚀设备主要用于刻蚀单晶硅、多晶硅等材料。MOCVD即金属有机化合物化学气相沉积（Metal-organicChemicalVaporDeposition），MOCVD设备是LED芯片生产过程中的关键设备。

目前公司等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米的集成电路加工制造及先进封装。公司的MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列、国内占主导地位的氮化镓基LED设备制造商。具体进展包括：

CCP：公司从2004年建立起首先着手开发甚高频去耦合的CCP刻蚀设备PrimoD-RIE，到目前为止已成功开发了双反应台PrimoD-RIE，双反应台PrimoAD-RIE和单反应台的PrimoAD-RIE三代刻蚀机产品，涵盖65纳米、45纳米、32纳米、28纳米、22纳米、14纳米、7纳米到5纳米关键尺寸的众多刻蚀应用。据公司2019中报，2019年公司已成功取得5纳米逻辑电路、64层3DNAND制造厂的订单。

ICP：公司从2012年开始开发ICP刻蚀设备，到目前为止已成功开发出单反应台的Primonanova刻蚀设备，同时着手开发双反应台ICP刻蚀设备。公司的ICP刻蚀设备主要是涵盖14纳米、7纳米到5纳米关键尺寸的刻蚀应用。据公司2019中报，2019年公司继续开拓ICP设备业务，已在某先进客户验证成功并实现量产，并有机台在其他数家客户的生产线上验证。

TSV：公司还顺应集成电路先进封装和MEMS传感器产业发展的需要，成功开发了电感性深硅刻蚀设备。

MOCVD：薄膜沉积设备方面，2010年中微公司开始开发用于LED器件加工中最关键的设备——MOCVD设备。公司已开发了三代MOCVD设备，该设备是一种高端薄膜沉积设备，主要用于蓝绿光LED和功率器件等生产加工，包括第一代设备PrismoD-Blue、第二代设备PrismoA7及第三代更大尺寸设备。

公司款项政府资产

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