三星持续投资闪存芯片 加剧与NAND市场的差异化

12 月 11 日讯，近日，三星电子闪存芯片项目二期第二阶段 80 亿美元投资正式启动。据悉，三星电子一期投资 108 亿美元，建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目；二期项目总投资 150 亿美元，主要制造闪存芯片。

其中，第一阶段投资约 70 亿美元，明年 3 月竣工投产；第二阶段投资 80 亿美元，2021 年下半年竣工。二期项目建成后将新增产能每月 13 万片，新增产值 300 亿元，解决上千人就业，并带动一批配套电子信息企业落户，使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。

2012 年，西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目，成为了三星海外投资历史上投资规模最大的项目，项目一期于 2014 年 5 月竣工投产，项目二期于 2018 年 3 月正式开工建设，其中第一阶段投资 70 亿美元。按照“三年之约”，三星必须在明年 8 月前完成投资，还要全面运营西安二工厂的生产线。据了解，三星西安二工厂的新生产线设备已安装完毕并已经开始试运行，预计明年 2 月可以实现量产。二期项目建成后将新增产能每月 13 万片，新增产值 300 亿元，解决上千人就业，并带动一批配套电子信息企业落户，使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。随着我市营商环境不断改善，近期还有施耐德电气、世邦魏理仕、第一太平戴维斯等世界 500 强企业在西安扩大投资或落户。

此外，据消息人士透露，三星电子计划在明年将内存芯片设施的资本支出增加至 65 亿美元（合 462 亿元人民币），预计增加的部分资金将用于其位于西安的第二家半导体工厂。此外，三星电子将在年底宣布这项投资计划。

业内人士认为，三星电子的额外投资计划将为当前供过于求的 NAND 闪存市场带来更多不确定性，并且可能成为竞争加剧的 NAND 市场的差异化战略。

与 DRAM 不同，NAND 闪存市场正在逐渐显示出复苏的迹象。DRAMeXchange 的数据显示，上个月底，128Gb 多级单元（MLC）NAND 闪存产品的价格为 4.11 美元（4，918 韩元），与上个月相比变化不大。该数字在 7 月底两年来首次上升，8 月也增长了 2％以上。

报道指出，目前在 NAND 闪存市场上，三星电子、东芝、西部数据、美光、SK 海力士和英特尔之间竞争激烈，但尽管三星电子的加码投资和扩张生产不会对市场产生太大影响，一方面由于其他公司正在减产，三星电子也可以因此获得更多的市场份额。

闪存市场芯片差异化

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