联电、GF退出FinFET高级工艺跟进,凸显FD-SOI价值

近日，台联电和格罗方德相继宣布退出FinFET高级工艺研发，这两家排名全球第二第三的晶圆代工厂退出FinFET高级工艺研发，主要是因为这种高级工艺不仅晶圆厂需要投入巨资升级设备，在IC公司端需要投入巨资研发高级工艺，以目前已经量产的麒麟980为例，据华为透露，7nm工艺研发成本远超过3亿美元，所以未来能跟进高级工艺的IC设计公司一定有限，与其大家打破头花巨资抢仅有的几个客户不如发展自己的特色工艺和服务，因此联电和GF停止FinFET高级工艺研发是明智之举。

IBS的Handel Jones公布了高级工艺节点研发成本，这个估计其实还是比较保守，高级研发工艺设计研发成本远高于这个数字。

抛弃FinFET高级工艺的格罗方德其实在FD-SOI工艺方面收获颇丰，在近日召开的GTC（Global Technology Conference）2018大会上，GF公布了该公司在工艺技术上的路线图及计划，从它公布的数据看，12nm以下的高级工艺在整个代工市场上并不占多数，12nm以上的市场今年依然有560亿美元的空间，2020年还会增长到650亿美元。

在工艺方面，GF除了会坚持现有的14/12nm FinFET工艺，未来的重点则是FD-SOI工艺，GF目前量产的就是22nm FD-SOI工艺，简称22FDX，未来还会有12FDX工艺。

在这次论坛上，GF德累斯顿Fab1执行副总裁兼总经理Thomas Morgenstern给汽车电子业者带来了更振奋的消息，他指出格罗方德的FDX平台目前可支持包括Arm、RISC-V等处理器IP，《6GHz的无线互联，包括蓝牙、WiFi、ZigBee等以及蜂窝通信在内的多种产品开发，而汽车电子方面，GF更有惊喜大礼包！

Morgenstern透露格罗方德重点打造车用芯片制造能力，德累斯顿的Fab 1在2今年年1季度已经通过了车规级验证，22FDX完全满足AEC Q-100的标准。2018年3季度汽车级产品已经tape out，目前Arbe Robotics已经采用了GF 22FDX开发业界首款L4及L5级别的高分辨率实时成像雷达技术。

orgenstern也用数据再次用数据证明了FD-SOI工艺在低功耗和射频上的优势，例如FDX平台逻辑单元电压可降低至0.4V，Memory的待机功耗为1pA/cell，保持电压就可以降低到0.28V。在射频方面，FD-SOI擅长包括RF/LDMOS，毫米波，模拟应用（大于400GHz）的应用！而且FD-SOI独有的体偏置可以实现更好的电源效率。还有，FD-SOI中eMRAM的应用也可以实现极低功耗的嵌入式存储。

这是他公布的一些对比数据，显示22FDX平台和12FDX性能比28体硅工艺以及FinFET工艺都有优势，例如12FDX的性能指标超过了10nm FinFET工艺直逼7nm FinFET工艺！ 而且FDX的掩膜数量要比10LPP少40%！这都是节省下来的成本哦！关键FD-SOI工艺良率还很高！这是公布的几个产品的良率！都95%以上！

Morgenstern表示通过调查数据显示两年来，对FD-SOI感兴趣的公司越来越多，尤其在射频相关应用中，客户越来越接受FD-SOI所带来的好处。

GF公司的22FDX工艺已经获得了客户的认可，早前GF就公告称已经获得了超过20亿美元的订单，涉及IoT、工业、汽车电子、网络、加密货币、移动、数模等等多个市场。未来随着摩尔定律放慢，单芯片集成会大大增加，尤其和射频的集成，这就是FD-SOI工艺的优势了！所以GF喊出了“Thinking RF？ Think GF first！“的口号！

价值跟进退出联电

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