中国在存储领域正在一步步追赶国际水平

在存储领域，国产厂商一直没有太多发言权，但如今随着中国半导体存储的不断发展，已经取得了相当不俗的成就，近日根据报道，国家存储器基地项目(一期)二阶段工程项目中低压配电系统日前已受电成功，终端机台的电力供给得到保证，芯片的目标量产指日可待。

国家存储器基地项目的实施主体是长江存储科技有限责任公司。据武汉市此前公布的2019年第一季度政府工作报告执行情况显示，武汉东湖新技术开发区在存储器基地方面取得了重大进展，长江存储器基地一期已实现量产，一季度产能达到5000片/月，办公人数已达3000人。同时国家先进存储产业创新中心也已完成法人主体注册。

此前的报导中曾有提及，长江存储计划在年底量产64层3D NAND，同时将导入Xtacking架构应用，并规划在2020年跳过96层3D NAND技术进入128层3D NAND阶段。此外，长江存储还将在近期正式推出Xtacking 2.0技术，根据推算，长江存储Xtacking 1.0导入到64层3D NAND，很可能到128层3D NAND会导入Xtacking 2.0，这将大幅度缩短与国际大厂在技术上的差距。

对此我们希望国产厂商能够一步一个脚印的走好自己的路，虽然我们与一线厂商仍然存在着不小的差距，但追赶之路并不是一朝一夕能走完的事情，只有真正的技术积累才能够实现进步，实现真正的崛起，希望我们能够早日看见这一天。

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