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云天励飞、Blink现身说法谈FD-SOI优势
2019-08-06 16:22:00
事实胜于雄辩,与以往FD-SOI论坛上只以PPT展示FD-SOI优势相比,本次论坛多家公司以已经采用FD-SOI工艺的产品说明其优势,其震撼效果难以言传!
Blink副总裁Yantao Jia就介绍了公司基于FD-SOI工艺实现的超低功耗室内摄像头如何一举成名。
他说Blink公司从2010-2014年,一共有三个芯片流片,但是因为性能不突出销量很惨,公司几乎倒闭,据说当时账面就剩下了一美元!后来公司基于三星28 FD-SOI工艺开发室内摄像头问世,销量大幅度增加!度过了难关。是什么拯救了Blink?就是FD-SOI的低功耗和高集成能力!
用两节AA电池这个摄像头就可以使用两年!
从2016年产品推出到现在已经实现了300万的销量!而且2017年亚马逊收购了该公司!
基于FD-SOI工艺,Blink的产品实现了高集成,实现了更高的性价比,Yantao Jia透露未来公司将研发基于FD-SOI工艺的AI芯片,而他也乐观表示类似Blink摄像头类的产品会像亚马逊智能音箱一样流行起来,成为亚马逊第二个爆款产品!
因行人过马路闯红灯曝光系统而出名的深圳云天励飞也来到论坛,云天励飞CEO陈宁曝光该公司基于AI算法的ASIC采用FD-SOI工艺。
云天励飞首创的“端到云”技术已经帮助深圳建立起了动态人像识别城市级系统,实现“亿万人脸,秒级定位”。云天励飞是国内唯一一家同时拥有算法、芯片和数据三个要素的公司,为了能让前端的设备实现智能化,云天励飞生产了前端盒子和嵌入式芯片,任意普通摄像机只要加上一个“小玩意”就能摇身一变,成为智能设备,这颗嵌入式芯片就采用了FD-SOI工艺。
Attopsemi董事长Shine Chung介绍了面向FD-SOI的I-Fuse技术,可以实现超高的可靠性和超低功耗的OTP。
据他介绍,目前OTP均采用NVM(非易失存储器),利用包括Break fuse,Rupture oxide或者trap charges技术改变浮栅,但其可靠性相比较逻辑器件低10倍到100倍。Attopsemi的I-Fuse技术相比较eFuse具有更可靠的物理特性,不需要更多工程学知识即可保证熔丝有效可靠,真正实现了0缺陷。同时操作电压更低,功耗更低,所以可有效避免热损耗。他也特别强调了FD-SOI的优势。
他说基于22nm FD-SOI工艺的I-Fuse可在0.4V下工作,只有1微瓦的能耗,可能这是全球唯一实现1微瓦工作的OTP。
Shine Chung还指出对于10nm和7nm以下工艺,MOS电压不能无限缩小,因此不能使用反熔丝技术,而FD-SOI技术具有更低击穿电压,因此可以继续使用反熔丝技术。
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