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英特尔和美光联合推出3D交叉点架构高耐久性非易失性存储器

2019-08-08 15:36:00

本文是EDN和EE Times热门技术的一部分：展望2016年的特色，我们的编辑们将在2015年审视一些有望在2016年及以后形成技术新闻的热门趋势和技术。

3D IC。 3D记忆。十多年来，这些术语已被用于指代各种技术，但迄今为止最成功的部分可能是便携式设备中常见的异构堆栈，将处理器与一个或两个存储器芯片相结合。非常平凡的东西。但2016年可以看到一些真正的进步和牵引力在该领域。事实上，一些真正的3D产品已经出货。

英特尔和美光已经宣布生产3D交叉点架构高耐久性(1,000×NAND闪存)非易失性存储器，他们声称比DRAM密集10倍，比NAND快1000倍。

双层交叉点数组的图示视图

英特尔和美光正在将其作为一种全新的内存类推广，虽然它可能会或可能不会取代NAND闪存，但它确实可以实现系统设计的可能性超越现有的内存技术所允许的。位单元是电阻性的和无晶体管的，但公司尚未提供技术细节。

交叉点存储器模具照片

此内存的“3D-ness”当然是指单元层的可堆叠性。但堆叠裸片是另一种3D方法。

Micron的混合存储器立方体(HMC)使用堆叠DRAM裸片和硅通孔(TSV)来创建具有抽象接口的高带宽RAM子系统(想想带有PCIe的DRAM)。与标准DRAM相比，Micron表示HMC可以减少延迟和功耗，提高带宽和可靠性，并节省约90%的PCB面积。

打包混合存储器立方体

最受欢迎的3D类别是3D NAND闪存。三星，东芝，Sandisk，以及英特尔和美光公司都宣布或开始发布采用3D硅结构的闪存，这种结构远远超出了通常的IC层。

3D NAND表示

有趣的是，宣布的内存大小并没有像人们在听到32或48时所预期的那样吹走现有的平面设备层芯片。我们目前正在看到128Gb-384Gb部件 - 令人惊讶的是，但在这些级别上已经有平面NAND部件。

看来IC制造商目前正在从3D技术中获得其他优势，例如更高的R/W性能。平面NAND，功耗更低，续航能力更强。他们也在使用更大的流程节点;这里的成本节省可能会抵消因额外层次而导致的成本增加。