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东芝的新型高性能ESD保护二极管 适用于移动设备的高速接口

2019-08-07 11:12:00

东芝的新型高性能ESD保护二极管 适用于移动设备的高速接口

加利福尼亚州IRVINE。 , 2016年5月4日/PRNewswire/- 东芝美国电子元件公司(TAEC)*,一家致力于与科技公司合作创造突破性设计的领导者,今天宣布推出四个新的ESD保护二极管:DF2B5M4SL,DF2B6M4SL,DF10G5M4N和DF10G6M4N。新型高性能二极管可屏蔽移动设备免受静电放电和噪声影响,专为智能手机,平板电脑,笔记本电脑和可穿戴设备而设计。

“通过应用采用我们专有的回弹技术的新工艺,这些产品同时具有低电容,低动态电阻和高耐久性,”TAEC业务开发经理 Talayeh Saderi 指出。 “它们非常坚固,应该有助于提高系统可靠性。”

东芝的新型ESD保护二极管通过低动态电阻R DYN =0.5Ω实现了高性能。典型值)。与采用传统ESD保护二极管阵列工艺 * 1 的二极管相比,电阻提高了50%。

在封装方面,DF2B5M4SL和DF2B6M4SL的小型SOD-962(0.62×0.32 mm)封装使其适合高密度安装,而DF10G5M4N和DF10G6M4N的DFN10多位封装则可实现流通布局。

主要特点:

高动态电阻保护性能:
R DYN =0.5Ω (典型值)(与传统工艺产品相比提高了50%)

通过低电容抑制信号质量下降:
C t = 0.2 pF(典型值)@V R = 0 V,f = 1 MHz

高静电放电电压:
V ESD =±20 kV(min)@ IEC61000- 4-2(接触放电)
Level4(约为传统工艺产品的2倍)

低钳位电压:

DF2B5M4SL,DF10G5M4N:V C = 24 V(典型值)@I TLP = 30 A

DF2B6M4SL,DF10G6M4N:V C = 25 V(典型值)@I TLP = 30 A

* 1:DF2B7M2SL(EAP-II工艺产品)
主要规格(@ T a =25ºC)
零件编号位数绝对最大额定值V RWM max(V)V BR (V)V C typ(V ) * 3R DYN typ。 * 3 @ 8到16 A(Ω)C t typ。 @ 0 V,1 MHz(pF)包装
V ESD * 2 (kV)
min/max@I BR (mA)@ 16 A@ 30 A
DF2B5M4SL1位±203.64/6117240.50.2SOD-962
DF10G5M4N4位DFN10
DF2B6M4SL1位5.55.6/81825SOD-962
DF10G6M4N4位DFN10
* 2:@ IEC61000-4-2 (接触放电)* 3:@TLP参数:Z O =50Ω,t p = 100 ns,t r = 300 ps,平均窗口t 1 = 30 ns至t 2 = 60 ns

定价和供货情况

东芝的新型ESD保护二极管现已上市。请联系您当地的东芝销售办事处获取样品。

*关于TAEC

通过久经考验的承诺,持久的关系和先进可靠的电子元件,东芝实现了客户创造市场领先的设计。东芝是全球OEM,ODM,CM,VAR,分销商和无晶圆厂芯片公司产品突破的核心。作为一家忠实的电子元件领导者,东芝设计和制造高质量基于闪存的存储解决方案,固态硬盘(SSD),硬盘驱动器(HDD),固态混合驱动器(SSHD),分立器件,定制SoC/ASIC,成像产品,微控制器,无线组件,移动外围设备,先进材料和医疗管,使当今领先的智能手机,平板电脑,照相机,医疗设备,汽车电子,工业应用,企业解决方案等成为可能。

东芝America Electronic Components,Inc。是Toshiba America,Inc。旗下的独立运营公司,东芝公司是东芝公司的子公司,是日本最大的半导体,固态硬盘和硬盘驱动器制造商,也是全球第七大半导体公司。制造商(Gartner,2015年全球半导体收入,2016年1月)。东芝于1875年在东京成立,是全球网络的核心,拥有超过580家合并公司,在全球拥有超过199,000名员工。

东芝移动设备可穿戴设备美国

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