DRAM大厂工艺推进1z纳米 导入EUV设备扩大竞争门槛

2019年上半DRAM价格下跌压力沉重，尽管上游产能调节以及传统旺季拉货需求逐渐回升，预料将有望支撑跌价趋缓，为了提高生产效益及拉大竞争差距，DRAM大厂竞相推进下一代制程技术。

三星电子（Samsung Electronics）率先表示将在2019年11月量产采用EUV技术的1z纳米DRAM，美光（Micron）、SK海力士（SK Hynix）也透露将考虑评估EUV设备的需求，随着上亿美元等级的EUV设备导入，将意味着10纳米级DRAM制程竞赛升温，产业投资规模门槛将大幅攀高。

随着DRAM报价直直滑落，供应链业者向华强旗舰记者透露，第2季底颗粒报价已经逼近制造原厂的成本边缘，中小型厂商维持获利的难度大增，尽管市况及需求并未明显回升，但跌价压力的阴霾笼罩下，驱使着业界势必更积极追求降低单位生产成本，国际三大DRAM厂三星、SK海力士、美光投入10纳米级DRAM制程升级的进度将不容延缓。

目前DRAM制造成本取得领先优势的三星曾指出，1z纳米DRAM在不使用EUV设备下，也能比目前1y DRAM的产能提高20%，9月起启动1z纳米DRAM量产进度；不过近期进一步透露，将于2019年11月开始量产采用EUV技术的1z纳米DRAM，而量产初期将与三星晶圆代工共享EUV设备。

除了晶圆代工逻辑制程采用EUV微影技术成为趋势，包括台积电、三星在7nm开始采用EUV技术后，三星计划扩大应用至DRAM制程，初期的使用量不大，预计将在华城17产线与晶圆代工事业部共享EUV设备的方式进行，之后平泽工厂也会启动EUV DRAM量产，宣示三星导入DRAM制程会开始走向EUV 技术发展。

SK海力士在南韩的利川市新建的DRAM生产工厂中，研发内含EUV技术的DRAM存储器生产技术，并表明现阶段开始评估导入EUV技术的需求。SK海力士在2019年起投入1y纳米制程DRAM量产，下一目标就是升级1z纳米转换制程，业界估计，SK海力士10纳米级DRAM制程比重，在2019年将占所有DRAM产品的半数以上。

据华强旗舰了解：美光也在2019年上半宣布DRAM技术走向1z纳米制程发展，日本广岛厂已经量产1y纳米制程，并将于年底开始量产1z纳米LPDDR4，下一阶段将推进至1α 纳米或 1β 纳米世代。至于***产线在2019年下半将导入1y制程量产，相关技术转移已经准备就绪，2020年也会跟进至1z纳米制程，透过技术升级达到每年双位数的晶圆位元成长。

虽然美光在2018年曾提过，即使到了 1α及1β的制程技术节点，也没有使用EUV技术的必要性，不过近期美光态度出现转变，并表示从进入1z纳米之后将会持续评估采用EUV技术的DRAM成本效益，不排除在合适时间点导入EUV设备。美光的转变被认为与2019年DRAM价格大跌，产品利润受到挤压，必须藉由提高性能与降低单位成本来巩固产业竞争力。

业界指出，相较于过去20纳米制程时期，每次升级到新一代制程的晶圆位元成长率将可以提升50%以上，2年就可以翻倍成长。不过随着难度越来越高，如今的晶圆位元成长的幅度也无法像过去一样，但仍有超过30%以上提升，但在进入1z纳米制程后，藉由EUV技术导入，将意味采购高达上亿美元的设备，其投资规模也愈加扩大，要维持每年提升1个制程世代的进度也将面临考验。

原本业界预期在18纳米制程之后，DRAM厂商将开始采用EUV技术，但每台价格高达约1亿美元的EUV设备，确实令DRAM厂商感到踌躇不前，2019年DRAM市况转趋低迷，价格竞争导致降低生产成本压力遽增，促使DRAM大厂寄望透过采用 EUV 技术以生产DRAM先进制程，预料将有助于提高微影精度、减小线宽以及降低存储器单位容量成本

调节需求下跌差距

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