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存储市场恶化美光同步减产 DRAM 和 NAND Flash

2019-06-27 10:22:00

受到美国商务部 5 月中祭出的华为禁令影响，第一时间宣布对华为停止供货的美系存储大厂美光（ Micron ）日前表示，经过严格审查，部分产品可以绕过出口管制条例和实体清单的限制，在过去两周已经开始恢复对华为供货，美光在投资人说明会中表示，如果没有华为禁令的影响，美光财报表现可以更好。

不过，业界认为现阶段的华为，以及整体产业局势仍存在很大的不确定性，且美光只是小部分重启对华为供货，整个后续状况仍需观察，要保持审慎态度视之。

美国实体清单重挫美企，大家纷纷找对策应对

美国的实体清单和禁售令一出，几乎所有美商都开始禁售华为，后续引发相当大的波澜，多数外商都开始针对禁售一事与美国方面做沟通，希望对于商业影响降至最低。

外媒报道，近期微软、英特尔等大厂都纷纷发声，希望释出诚意能和善解决此事件。其中，微软做出的第一步，是表示将继续对华为设备的客户提供软件更新，英特尔则表示持续对华为的终端用户提供安全更新和驱动程序。

在 6 月 25 日的投资人说明会上，美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 表示，过去两周已经部分恢复对华为的芯片供货，主要是这些芯片产品并不在出口管制条例的范围之内，也不受实体清单限制的影响。

不过，美光也强调，因为整个华为的状况不确定性仍相当大，美光无法对供给华为的芯片数量作出保证，或是承诺能够持续供货多久。

日前日本软银集团创始人孙正义也表示，Arm 没有停止与华为的合作关系，关键是贸易法的改变，让 Arm 要花点时间调查一些相关限制和细节，如果符合低于 25% 技术含量的限制，仍是可以继续供货，不会受到影响。

从美光、 Arm 、微软、英特尔等外企的态度可以看出，，以中国庞大的消费市场来看，

以美光为例， 2019 年上半年，华为占其整体营收的份额高达 13% ，这只是单一中国公司对美光营收的占比，若以整个国内市场的营收份额来看，对美光的占比将高达近 50% 。

存储市场恶化，同步减产 DRAM 和 NAND Flash

在 25 日的投资人会议中，另一个更值得忧心的是存储市场状况，美光对存储市场前景透露悲观气氛，同步减产 DRAM 和 NAND Flash 两大存储芯片。

其中，美光对于 DRAM 投片量维持减少 5% 的幅度，而 NAND Flash 投片量的减少幅度进一步扩大，从减产 5% 扩大至减产 10% ，更且计划大砍 2020 年（ 2019 年Q4～2020 年Q3 ）的资本支出，极力将产业供需导向平衡。

美光旗下两大业务为 DRAM 和 NAND Flash，在2019年第三季会计年度中， DRAM 营收份额约 64% ，环比下降 19% ，同比下降 45%，平均售价（ASP）环比减少高达 20% ，出货环比持平。

在 NAND Flash 业务上，营收份额约 31% ，环比下降 18% ，同比下降 25% ， ASP 环比下滑减少 15% ，出货环比则是下降 5%。

根据调研机构 TrendForce 统计，2019年智能手机和服务器的需求减缓，加上 CPU 缺货仍对笔记本电脑的整体出货略有影响， NAND Flash 应用如 eMMC 、 UFS 、 SSD 等产品第三季旺季出货量恐不如预期，预计第三季 NAND Flash 合约价虽然跌幅将缩小，但基于库存调整时间拉长，仍视为持续下跌格局，合约价不易反弹。

目前 NAND Flash 市场仍处于高端工艺技术迭代期，以移动设备为主流的 eMMC 和 UFS 芯片仍将以既有的 64 层和 72 层的 3D NAND 技术为主力工艺，而在 Client SSD 端则开始导入 92 层和 96 层的 3D NAND 芯片，协助成本持续下降。

根据美光的财报，公司认为两大存储芯片 DRAM 和 NAND Flash 都处于库存调整期。其中，DRAM 客户的库存调整符合预期，加上公司一直在执行技术迭代前进，驱动成本降低，美光目前持续提升 1y nm 的技术，预计在年底进入 1z nm 工艺技术世代，让 DRAM 成本持续下降。

再者，美光预期 2019 年的 DRAM 位元成长率会增加 15% 左右，整个产业的成长率会高于 15% ，美光将继续执行 5% 的 DRAM 减产计划，希望产业尽速恢复供需平衡。

在 NAND Flash 产品方面，美光已经进入 96 层 3D NAND 技术，有助于成本的下降，未来也将如期导入 128 层 3D NAND 技术。

NAND Flash 产业上一波高峰是由服务器的商机带起，之前数据中心等云客户一直处于库存消化阶段，美光也预期 2019 年 NAND Flash 需求将增长 35% ，而整个产业的位元成长率将超过 35% 。因此，未来追求更好的产业供需状况，美光扩大 NAND Flash 减产幅度，从减产 5% 扩大减产至 10% 。

日前存储产业出现一个插曲，日系存储大厂东芝与西部数据在日本四日市合资的 12 寸 NAND Flash 产线，发生停电导致生产线停摆，并且出现晶圆报废事件，市场一度解读是否会因会该意外事故让 NAND Flash 市场供需由供过于求转为供给紧张。

东芝的重要合作伙伴群联在第一时间表示，虽然无法评论东芝的状况，但以群联本身来看，库存十分充足，可以支应 2 ~ 3 个月的接单需求，同时公司也与威腾、 SK 海力士、英特尔等存储大厂有合作关系，不担心后续供应问题。业界则认为，东芝该意外事件对于全球 NAND Flash 市场的供需影响不大。

根据过去经验，半导体产业每一个波段的景气循环，演变至产业谷底都会遇到砍支出、减产、清库存等过程，以期待之后的供需回暖和价格回升。

这一波的景气谷底起因是全球经济因素、美国对华为实施的禁令等，美光等国际大厂已经在资本支出上做出保守动作，加上 DRAM 和 NAND Flash 同步减产，都是下猛药救市场的动作。

美光已经表明，对华为实施禁售的政策，已经对公司营收造成减少，目前已经启动恢复部分的出货，但是之后的状况仍不明朗，且变数很大。可以预见，这一波景气的谷底状况其实更为复杂，经济、政治等因素掺杂，全球科技业都等待着中美僵局能顺利解决，恢复正常商业运作。

美光同步恶化市场